第7章 离子注入.ppt

第七章 离子注入 * * §1 概述 离子注入:是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1keV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10um，离子剂量变动范围从用于阈值电压调整的1012/cm2到形成绝缘层的1018/cm2。 低掺杂浓度 (n–, p–) 和浅结深 (xj) Mask 掩蔽层 硅衬底 xj 低能 低剂量 快速扫描 束扫描 掺杂离子 离子注入机 高掺杂浓度 (n+, p+) 和深结深 (xj) 束扫描 高能 大剂量 慢速扫描 Mask Mask 硅衬底 xj 离子注入机 离子注入机 基本工艺过程 离子源 分析磁体 加速管 粒子束 等离子体 工艺腔 吸出组件 扫描盘 离子源和吸极装配 Bernas 离子源装配图 分析磁体 加 速 管 中性束流阱 静电离子束扫描 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 具有空间电荷中和地粒子束剖面 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 粒子束膨胀剖面 掺杂离子 二次电子 空间电荷中和 离子注入的优点 1. 精确控制杂质含量； 2. 很好的杂质均匀性； 3. 对杂质穿透深度有很好的控制； 4. 产生单一粒子束； 5. 低温工艺； 6. 注入的离子能穿过掩蔽膜； 7. 无固溶度极限。 §2 离子分布 射程R：一个离子在停止前所经过的总距离 投影射程Rp：射程在入射方向的投影。 投影偏差σp ：投影射程的统计涨落。 横向偏差σ⊥ ：入射轴垂直方向上的统计涨落 轴向分布函数 轴向和横向都服从高斯分布 As、B和P在Si和SiO2中的投影射程 As、B和P在Si和SiO2中的投影偏差和横向偏差 H、Zn、Se、Cd和Te在GaAs中的投影射程 H、Zn、Se、Cd和Te在GaAs中的投影偏差和横向偏差 离子驻留机制 核阻止机制：离子通过和靶核碰撞，损失能量并发生偏转，同时也可能使靶核移位。 核阻止本领 电子阻止机制：入射离子和靶内的电子云通过库伦相互作用以及碰撞而损失能量，电子被激发甚至电离。 电子阻止本领 离子能量随距离的平均损耗可由上述两种阻止机制的叠加而得： 射程R为 离子沟道效应 沿 110 轴的硅晶格视图 111 100 110 沟道效应使投影射程移位 晶圆纵深方向 浓度 沟道穿越离子 沟道效应降低的技巧： 一、覆盖一层非晶体的表面层。常用的覆盖层非晶体材料只是一层薄的氧化层，此层可使离子束的方向随机化，使离子以不同角度进入硅晶片而不直接进入硅晶体沟道。 离子注入 氧化层 晶格 经过非晶体氧化层的注入 二、将硅晶片偏离主平面5-10度。此方法大部分的注入机器将硅晶片倾斜7度。 离子注入 晶格 不对准晶轴的入射