元件工程及可靠性教材教学课件.ppt

应力测量 电压应力： ≥2W的高压功率电阻和热敏电阻 电解电容、薄膜电容 塑封二极管以及额定电流大于1A的其他二极管 MOSFET、IGBT和双极性三极管 电路中需检查的元件： 电阻应用指南： 1、膜型电阻器在高频工作情况下，阻值会下降； 2、金属膜电阻器在低气压条件下工作时，工作电压需要进一步降额； 3、为保证电路长期工作的可靠性，设计应允许膜型电阻器有一定的阻值容差：金属膜电阻器为±2%，金属氧化膜电阻器为±4%； 4、不要使用大于1Mohm的碳膜电阻，因为长期稳定性差； 5、尽量不要将矩形的SMT电阻用在ESD保护电路，因为矩形的尖角容易放电； 6、在电压、电流采样时，若使用SMT电阻，尽量使用尺寸在1206以上封装的电阻； 降额设计具体要求 7、在脉冲应用场合，对单个脉冲的功率限制取决于脉冲的形状，同时脉冲的峰值电压必须不能超过电阻的最高使用电压。 降额设计具体要求 降额设计具体要求 线绕电阻器： 线绕电阻器，可分为精密型和功率型。 可靠性高 稳定性好 无非线性 温度和电压系数小 特点： 降额参数：功率、电压和环境温度。 线绕电阻降额要求： DERATED PARAMETER TYPICAL STRESS LEVEL WORST CASE STRESS LEVEL Voltage 80% of maximum rating 80% of maximum rating Power 50% of maximum rating 50% of manufacturer’s curve Ambient Temperature 70 ?C maximum 按照制造商提供的线性降额曲线 应用指南： 1、不采用绕线直径小于0.025mm的电阻器； 2、功率型线绕电阻器可以短时间经受比其额定功率和电压高得多的脉冲，但使用中应作相应的降额； 3、为保证电路长期工作的可靠性，设计应允许线绕电阻器有一定的阻值容差：精密型线绕电阻器为±0.4%，功率型线绕电阻器为±1.5% 热敏电阻： 热敏电阻，分为正温度系数的热敏电阻PTC和负温度系数的热敏电阻NTC。 降额参数，额定功率和环境温度。 降额设计具体要求 DERATED PARAMETER TYPICAL STRESS LEVEL WORST CASE STRESS LEVEL Power 50% of maximum rating 50% of maximum rating Temperature 15 ?C less than maximum rating 15 ?C less than maximum rating 电容： 主要降额参数：电压和环境温度。 电压影响电容器寿命，越接近额定电压时影响越大； 降额的电压值=直流电压+交流峰值电压，电压与寿命有5次幂关系，即电压减小一半，寿命可增至32倍。 环境温度影响电容器的使用寿命、电容量、绝缘电阻、介电强度和器件的密封等； 电容器温度=环境温度+交流负载引起外壳温升，在一定的温度范围内，电容器温度降低10℃（薄膜电容为5 ℃ ），寿命增加1倍。 降额设计具体要求 多层陶瓷电容Multi Layer Ceramic Capacitors(MLCC): 应用场合： 需要滤波/退偶小信号电路 半导体RC缓冲电路 安规电容，如Y电容 封装类型：贴片SMT和插件Through-hole。 降额设计具体要求 X7R dielectric having a capacitance variation of ± 15% over the –55 ?C to +125 ?C； X5R dielectric having a capacitance variation of ± 20% over the –55 ?C to +85 ?C； NPO( COG )dielectric giving a capacitance variation of 0 to 30ppm/℃ over the –55 ?C to +125 ?C ； Z5U dielectric having a capacitance variation of +22% to –56% over the 0?C to 85?C temperature range。 MLCC分类： 降额设计具体要求 MLCC降额要求： DERATED PARAMETER TYPICAL STRESS LEVEL WORST CASE STRESS LEVEL Working Voltage 80% of maximum rating 90% of maximum rating Ripple Current 8