功率半导体器件概要.ppt

功率半导体器件 第一章 绪论 1.1 理想的和典型的开关波形 总耗散功率： 低频工作区：开态损耗占主导，低开态压降的功率开关器件是追求目标 高频工作区：开关损耗占主导，高开关速度和低的转换时间是追求目标 实际需要对低开态压降和低开关损耗进行折衷 1.2 理想的和典型的功率器件特性 1.3 单极性功率器件 1.4 双极性功率器件 1.5 MOS-双极功率器件 1.6 双极性器件的理想漂移区 1.7 用于制备功率器件的半导体材料优值 1.8 课程内容及考核 P-i-n整流器件，双极功率器件，功率MOSFET，晶闸管类器件，双极-MOS功率器件 学时32：周二（1~16周） 考核方式：平时60%+随堂测试40% 第二章 p-i-n二极管 应用:整流器 额定电流: 1A 到几百安培 反向阻断电压: 几十伏特到几千伏特 设计目标: 高反向阻断电压、低正向压降、开关态间快的转换速度 2.1 器件性能一维分析 开态电流传输机制 1. 电流非常低时, P–N 结的空间电荷区的复合过程是电流主要传输机制 2.电流比较低时, 少子通过扩散注入漂移区是电流主要传输机制 3. 高注入条件下, 漂移区充满大量过剩电子和空穴，电导率调制成为主要机制 高注入电流 开态压降 反向阻断电压 2.2 动态特性 正向导通过程 开通过程中存在电压过冲现象：载流子注入p+-i和n+-i结区，然后扩散进入低掺杂i区，当电流变化很快时，载流子来不及通过扩散在中间区域建立起电导调制，从而递增的电流引起递增的电压降落在中间区域 反向过程 第三章 双极结型功率晶体管 基本特性 关态阻断电压 高电压和大电流特性 动态特性 3.1 双极晶体管的结构及基本特性 电流增益 阻断电压 3.2 开通状态 饱和区 饱和区 准饱和区 3.3 开关特性 关态过程 大电流效应--- Webster效应 大电流效应--- Kirk效应 大电流效应---发射极电流集边效应 第四章 晶闸管 工作状态 开通，正向阻断，反向阻断 工作原理 双BJT模型 物理模型 瞬态过程 各种晶闸管 4.1 结构和工作状态 反向阻断 正向阻断态 正向导通状态 4.2 晶闸管开关的双晶体管模型 4.3 晶闸管开关的能带变化 4.3 开通的瞬态过程 门极触发的开通 开通区域横向扩展 临界通态电流上升率 放大门极结构---辅助晶闸管 场启动门及结构---悬浮辅助阴极 关态临界电压上升率 阴极短路点 4.3 关断的瞬态过程 利用电路换向关断 利用减小正向电流关断 门极关断 除了N+发射极和P基区外，功率BJT具有一个宽的掺杂浓度极低的集电极漂移区用于承受高的阻断电压 共射极电流增益： 共基极电流增益： 共射与共基极电流增益： 基区输运系数： 共射电流增益： 发射极开路时的击穿电压：BVCBO 基射极开路时的击穿电压：BVCEO 集电极电流： 击穿条件： 由于 所以 大电流状态，除了BJT的三个工作区域外，还出现了一个准饱和区。它的出现源于较厚的掺杂浓度极低的集电极区所引起的电导调至效应 由电中性条件得到： 流过集电结的空穴和电子电流为： 电子电流可以被忽略，所以集电极电场 流过集电结的电子电流为： 利用Einstein关系及流过集电结的电子电流近似等于总电流得到： 少子在N-drift区的分布： N-drift区少子与基-集结偏压的关系为： N-drift区压降为： 由于： 将VBCJ和VD表达式代入上式得到： 一旦有上述二次方程求的pNS(0)，即可VD N-drift区存储的过剩少子电荷为： N-drift区空穴电流(少子)用于维持该区域载流子复合，所以空穴电流密度为： 饱和区通态电压近似等于该电压，通常为100~300mV IB减小导致N-drift区不能完全被电导率调制，被电导率调制的N-drift区宽度为 未被电导率调制的N-drift区宽度 未被电导率调制的N-drift区压降成为通态压降的主要部分 电子在基区渡越时间 基区电子存储 集电极电流随时间变化 集电极电流上升时间 在大注入条件下，为维持基区电中性，大量的多子空穴从基极注入，导致从基区注入到发射区的空穴流增大，从而最终导致发射结注入效率降低 在大注入条件下，发射结边界处空穴浓度 流过发射结的空穴电流 忽略基区载流子复合，基极电流等于注入发射区的空穴电流 所以共射电流增益IC/IB ( ) 放大模式下，Jc比较小时，N-drift区耗尽层电场分布主要由电离施主浓度决定。在大注入条件下，电子浓度变得与施主浓度相差不大，这些电子会对带正电荷的施主杂质起到补偿作用，从而电场分布也受到这些电子浓度的影响。电子以饱和速度通过集电结区，所以电子浓度 求解Poisson方程