CdS及其稀土掺杂纳米带的制备与发光性质的研究推荐.pdfVIP

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CdS及其稀土掺杂纳米带的制备与发光性质的研究推荐

陈海燕 等 :CdS 及其稀土掺杂纳米带的制备与发光性质的研究 115 Cd S 及其稀土掺杂纳米带的制备与发光性质的研究 1 ,2 1 1 1 陈海燕 ,杨晓玲 ,罗庇荣 ,刘应开 ( 1. 云南师范大学 物理与电子信息学院 ,云南 昆明 650092 ;2 . 福建水利电力职业技术学院 ,福建 永安 366000) ( 3 + 3 + ) 摘  要 :  采用热蒸发法制备 Cd S 及其稀土掺杂的纳 杂的纳米带 Cd S ∶Ce 、Cd S ∶Er ,并利用扫描电 ( 3 + 3 + ) ( ) ( ) 米带 Cd S ∶Ce 、Cd S ∶Er 。利用扫描电子显微镜 子显微镜 SEM 和 X 射线衍射仪 XRD 进行表征 ,研 ( ) ( ) ( ) SEM 、X 射线衍射仪 XRD 和荧光光谱仪 PL 对纳 究各稀土掺杂对纳米带尺寸 、形貌和结构的影响 。利 ( ) 米带的形貌 、晶体结构和发光性质进行了表征和分析 。 用荧光光谱仪 PL 测试各纳米带的光致发光谱 ,研究 结果表明 ,所制备的纳米带的外形规则 ,表面光滑 、平 Cd S 纳米带的发光特性以及各稀土掺杂对纳米带发光 整 ,纳米带的厚度大约在 20~60nm 范围内;纳米带具 性质的影响 。 有六方结构 ,晶格常数 a = 0 . 4 14nm 、c = 0 . 67 1nm ;Cd S 2  实  验 纳米带的光致发光谱的谱峰位于 405nm 左右 ; Cd S ∶ Ce3 + 纳米带的光致发光谱的谱峰位于 523 和 535nm 试验在自行改造的真空管式高温实验炉中进行 , 处 ;Cd S ∶Er3 + 纳米带的光致发光谱中观察到 3 个强 图 1 是该设备 的示意 图。刚玉管长 1200mm 、内径 的发光峰 ,分别位于 525 、556 和 582nm 处 。 80mm ,石英管的内径是 65mm 。把试验的原材料放在 关键词 :  Cd S ;稀土掺杂 ;纳米带 ;光致发光 坩埚中 ,再将坩埚放在石英管中并使原材料位于炉子 中图分类号 :  O472 . 3 ;O6 14 . 242 文献标识码 :A 的高温区。试验中用于原位收集 Cd S 纳米带的衬底 ( ) 文章编号 :100 1973 1 20 10 0 10 11503 为抛光的硅片 ,将其切成 10mm ×10mm 大小 ,分别在

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