6.5能带结构的实验研究.PDFVIP

6.5 能带结构的实验研究: 从前面的讨论中已经知道，通过晶体的能带结构，特别 是对费米面的了解，就能够理解晶体的各种物理性质，虽然 已经有了许多计算晶体能带和费米面的方法，但必须得到实 验的验证才行。能够证明晶体中出现能带的实验是很多的， 且已经发展了多种测定晶体能带结构的实验方法，不但有效 地验证了能带计算模型和方法的符合程度，而且也成为探知 晶体能带结构，理解晶体性质的重要手段。 能带实验研究依然要从晶体的热、电、磁及光学性质的 测量入手，经常使用的实验方法有：电子热容测量；软X射 线的发射与吸收；光吸收与磁光吸收；回旋共振与Azbel- Kaner 共振；反常趋肤效应；De Hass-van Alphen 效应； 磁场电效应（磁致电阻效应）；超声衰减；磁声几何效应等 。 我们前面已经提到利用低温电子热容和温度关系可以测 定Bloch电子的有效质量m*或N(E)，但热容是晶体的整体性 质，无方向性，所以给出的只能是各个方向的平均值，对于 探知能带结构来说是远不够的。De Hass-van Alphen 效应 是测定费米面的有效手段，上节已经比较详细的介绍，这里 都不再重复。 一.软X 射线的发射与吸收 二.光吸收与磁光吸收 三.回旋共振与Azbel-Kaner 共振 四.反常趋肤效应 五.磁声技术 六.角分辨光电子能谱（ARPES ） 参考：Kittel 8版9.4 节p167 Busch 书6.8节 一. 软X射线发射谱： 当晶体被一束高能电子轰击时，低能带的一些电子被 激发，会留下一些空能级，如果电子从价带或导带落入这 些空能级，就会发射出一个软X射线范围的光子，记录下 这些光子的能量范围和强度变化即可探知价带或导带电子 分布情况。 K ：外层电子落入 EF 价电子 能 带 空的1s态而发射 的X射线； 软 L L ：外层电子落入 X 2 1 2s态所发射的X 射 2p 线 射线； L L2 ：外层电子落入 1 2s 2p态所发射的X K 射线。 1s 由于低能带和导带或价带相比非常窄，几乎可以看作是 分立能级，电子从能级准连续分布的价带上不同能级跃迁到 内层将发射不同能量的光子，因而测得的能量范围应该和价 带中电子占据的范围（即和费米能级）相当。 I N E 跃迁几率（随能量变化不大） 又因为发射谱的强度：   测得的X射线发射谱强度的变化可以直接地反映出价电