光电子与微电子器件及集成重点专项2018项目申报指引建议.pdf

“光电子与微电子器件及集成”重点专项 2018 年度项目申报指南建议 为落实创新驱动发展战略，促进我国光电子与微电子基础元 器件技术的不断发展，支撑“宽带中国”、“一带一路”与“中国 制造2025 ”等国家战略的实施。按照《国家中长期科技发展规划 纲要（2006-2020 ）》部署，根据国务院《关于深化中央财政科技计 划（专项、基金等）管理改革的方案》，国家重点研发计划启动实 施 “光电子与微电子器件及集成”重点专项。根据本专项实施方 案的部署，现提出2018 年度项目申报指南建议。 本重点专项总体目标是：发展信息传输、处理与感知的光电 子与微电子集成芯片、器件与模块技术，构建全链条光电子与微 电子器件研发体系，推动信息领域中的核心芯片与器件研发取得 重大突破，改变我国网络信息领域中的核心元器件受制于人的被 动局面，支撑通信网络、高性能计算、物联网与智慧城市等应用 领域的自主可控发展，满足国家发展战略需求。 本重点专项按照硅基光子集成技术、混合光子集成技术、微 波光子集成技术、集成电路与系统芯片、集成电路设计方法学和 器件工艺技术6 个创新链（技术方向），共部署49 个重点研究任 务。专项实施周期为5 年（2018~2022 年）。 — 1 — 1.硅基光子集成技术 1.1 硅基发光基础理论及器件关键技术（基础前沿+共性关键 技术类） 研究内容：开展硅基高效发光材料的设计、制备和器件研制， 解决硅基光电集成的光源这一瓶颈问题。研究硅基掺杂与缺陷调 控及高效发光机理；研究硅基纳米结构高效发光材料与器件；研 究硅基稀土掺杂/缺陷电致发光材料及器件；研究锗锡Ⅳ族直接带 隙发光材料能带调控和相关器件；研究硅衬底上Ⅲ- Ⅴ族化合物半 导体材料的外延生长及激光器。 考核指标：突破硅基高效发光材料和器件难题，研制出硅衬 底上的多种激光器。设计和实现基于能带工程、掺杂工程、缺陷 工程的2 种以上新结构高效硅基发光材料；硅基纳米结构高效发 光器件能量转移效率65% ，外量子效率10% ；研制的硅基稀土掺 杂/缺陷电致发光器件800 小时效率衰减小于25% ；制备出具有直 接带隙的锗锡发光材料，实现光泵和电泵激射；研制出硅基Ⅲ- Ⅴ 化合物半导体激光器，实现室温连续激射，阈值电流密度 2 100A/cm 。申请发明专利20 项以上，发表论文80 篇以上。 1.2 Tb/s 级光传输用光电子器件及集成（共性关键技术类） 研究内容：研究1Tb/s 级相干光调制芯片、相干光接收芯片和 相干光模块技术，包括高消光比的偏振旋转与偏振分合束技术、 高速调制器、波分复用器、高精度90 度混频技术、宽带探测器阵 — 2 — 列集成技术；研制光调制和接收芯片的封装和模块，包括高速驱 动电路与硅基相干光调制芯片的集成技术、高速TIA 等集成电路 与硅基相干光接收芯片的集成技术、相干光通信模块功能测试分 析、ESD 防护性能和可靠性评估技术。研究微米量级电光调制器 的结构和机理，包括电场和光场的相互作用增强机制、新型高效 电光调制方法、超小型高速电光调制器的制备工艺开发及测试等。 考核指标：研制出总容量1Tb/s 级传输的相干光收发芯片及 模块，实现高速硅光调制器、探测器、波分复用器和偏振复用器 等多种功能元件的片上集成及模块化封装。封装后模块的模拟调 制带宽和相干接收带宽28GHz 。收发模块误码性能、可靠性和工 作温度应符合商用标准；光信号谱间隔300GHz ，进行1Tb/s 级系 统传输600km 的应用验证。制备微米量级电光调制器，调制速 率40Gb/s ，调制器有源区尺寸10 μm ，器件带有C 波段信号波 长跟踪和锁定功能。申请发明专利50 项以上，发表论文30 篇以 上。 1.3 光接入用100G PON核心硅基光电子器件（共性关键技术 类） 研究内容： 面向25/50/ 100G PON 光收发模块的需求，研究 低损耗高消光比的25Gb/s 硅基光调制器、高灵敏度的25Gb/s 锗硅 光探测器，实现调制器、探测器、滤波器、光纤耦合器等功能器 件的硅基集成。研究高线性度的硅基光调制器、锗硅