深次微米金氧半电晶体之布局参数对元件静电放电耐受度的-交通大学.PDF

深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電 耐受度的影響 副標題： 通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性 1 奇景光電 IC設計中心 2 國立交通大學電子研究所 3 聯華電子中央研究發展部 1 2 3 3 陳東暘 ，柯明道 ，唐天浩 ，黃致遠 1 目錄 一、前言 二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體 三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理