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晶体二极管开关转换过程分析 　　摘 要:晶体二极管结构决定了其开关特性,在脉冲信号作用下晶体二极管由导通到截止和由截止到导通的转换过程会产生时间上的延迟,为了清楚观察输出信号开关随输入信号开关时间上的延迟,在开关电路中需要输入一定幅值、周期的脉冲信号。通过实验可以清楚直观地观察到二极管开关转换过程时间的延迟,进一步加深对晶体二极管开关特性的理解和认识。 　　关键词:二极管; 开关特性; 延迟; 脉冲 　　中图分类号:TM13 文献标识码:A 　　文章编号:1004-373X(2010)09-0202-03 　　 　　Crystal Diode Switch Switching Process Analysis 　　ZHANG Wu-qin1,2 　　(1.College of Electrical Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China; 　　2.Department of Physics, Zhengzhou Teachers College, Zhengzhou 450044, China) 　　Abstract: The structure of the crystal diode determines its switching characteristics of the diode under the action of pulse signal from the conduction to the cut-off. By the deadline to turn in the conversion process the diode produces a time delay. In order to clearly observe the time delay of the output signal switch which viariates with the input signal switching time, a certain amplitude (the cyclic pulse signal) should be entered to the switching circuit. The time delay of the switch convertion precess can be visually observed through experiments. Therefore, the understanding to the diode switching characteristics and awareness can be further deepened. 　　Keywords:diode; switching characteristics; delay; pulse 　　 　　0 引 言 　　晶体二极管开关电路在数字系统和自动化系统里应用很广泛,在晶体二极管开关特性实验中,其开关转换过程中输出与输入存在时间上的延迟或者滞后,研究晶体二极管开关特性主要是研究其开关状态转换过程所需时间的长短。Microsemi公司研制的DQ系列?? 二极管具有超快速软恢复等优点,极大地提高了晶体二极管的开关速度[1]。随着技术的发展,新型的SiC肖特基势垒二极管[2]与采用Si或GaAS技术的传统功率二极管相比,SiC肖特基二极管(SiC-SBD)可大幅降低开关损耗并提高开关频率[2-3]。在 AM-LCD中,用C60制作的势垒二极管作为有源矩阵的开关,其工作速度也很快[4]。作为开关器件使用时,其由开到关或由关到开所需时间越短越好,因此,对于晶体二极管开关速度快慢的原因需要进行认真分析探讨。在此基础上通过简明的实验电路,依据晶体二极管的参数选择合适的脉冲信号和负载,能够很清楚地观察到二极管开关转换过程时间的延迟。 　　1 二极管开关特性 　　在数字电子技术门电路中,在脉冲信号的作用下,二极管时而导通,时而截止,相当于开关的“接通”和“关断”。 二极管由截止到开通所用的时间称为开通时间,由开通到截止所用的时间称为关断时间[5]。研究其开关特性,就是分析导通和截止转换快慢的问题,当脉冲信号频率很高时,开关状态变化的速率就高。作为一种开关器件,其开关的速度越快越好,但是二极管是由硅或锗等半导体材料通过特殊工艺制成的电子器件,有?┮桓鲎罡呒?限工作速度,当开关速度大于极限工作速度,二极管就不能正常工作。要使二极管安全可靠快速地工作,外界的脉冲信号高低电平的转换频率要小于二极管开关的频率。 　　如图1所示,输入端施加一脉冲信号Vi,其幅值为+V1和-V2。当加在二极管两端的电压为+V1,二