- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种用于D类放大器的高阶单比特的SDM调制结构的实现
摘 要:在介绍∑―Δ调制的基本原理基础上,重点设计出一种调制器结构,其特性适用于D类功放。分析了该电路结构特性对电路模块设计的影响,给出了电路模块的设计原则和指标。该结构最终测试结果为动态范围100 dB,信噪比90 dB,翻转频率400 kHz,总谐波失真0.008 4%。最后得到结论:在48 kHz,44.1 kHz采样率下该设计功能达到了预期效果,足以满足D类放大器应用。
关键词:Sigma―Delta调制结构;翻转频率;信噪比;D类放大器
中图分类号:TN914 文献标识码:B
文章编号:1004373X(2008)0317202
A Type of Sigma―Delta Modulation with High Order and One bit
Quantization Based on Class D Audio Ampliefier
LIU Huan1,ZHAO Jianming1,HU Xingwei2
(1.School of Micro―eletronic and Solid-electronic,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu,610054,China;
2.IPGoal Microelectronics Sichuan Co.Ltd.,Chengdu,610041,China)
Abstract:This paper introduces the theory of Sigma Delta modulate.Combining with the system requirement,this paper focuses on the discussion of design appropriate architecture based on the class D audio amplifier architecture,presents the design key of the circuit module.With an oversampling ratio of 64 and sampling frequency 48 kHz or 44.1 kHz,the modulator achieves a 100 dB dynamic range,a peak signal to noise of 90 dB,and a total harmonic distortion ratio of 0.0084%.
Keywords:Sigma―Delta modulator;pulse repetition frequency;signal to noise ratio;class D audio amplifier
∑Δ(Sigma―Delta Modulator,SDM)结构是一种常用于音频遍解码的凿声整形结构,其调制方法实质上是Δ调制方法的一种变形。Δ调制的输出是差分编码,如果在输入端对信号积分后再输入到Δ调制器中,输出便失去了差分编码的性质,同时克服了由于斜率过载带来的限制,改善了Δ调制方法的缺点,这便是∑―Δ调制结构。图1是一阶SDM调制结构的结构图。
图1 一阶的SDM噪声调制结构
以上结构一般以多阶形式用于音频算法结构中,但是,CLASSD的最大优势在于用0/1电平驱动H桥电路,这样使得放大器不会在过渡中损失功率,理论上可达到100%,只是在实际中电平反转MOS管开闭会造成损失,所以要求PRF(Pulse Repetition Frequency)低。对于要求PRF远远小于一般SDM的CLASSD结构来说,单纯的这样不加处理是完全不行的。
世面上常用的方法是采用MUTI结构对信号进行多bit量化,减少量化误差,因为多比特的量化间距小,在相同的过采样率下可以有效地提高SDM的信噪比,因此这样就可以降低过采,可以不使用常用的136/128/125过采,而使用64过采,这样就可以得到满足SNR要求(85 dB以上人耳基本听不出区别)的低PRF的SDM结构。但是,多比特的量化后的处理包括热力学编码,动态元素匹配/动态权重均匀以及模拟累加等,将会牺牲太大的面积[CD2]单纯的多比特数字部分PR后的面积一般是单比特的两倍以上。众所周知,目前CLASSD的用处是一些轻便、随身携带、低电量设备,这样会导致总体面积增大,失去了便携的优势。所以本文设计的是单bit量化的SDM结构。
本设计中采用的是一种用于DA的7阶前馈集加和型的SDM结构。如图2所示,首先
文档评论(0)