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市场 | Market 光子集成电路（PIC）： 芯片制造技术上的选择 为了制造出具有最佳性能的光子集成电路（PIC），最好是能将InP激光器与 硅的光子芯片相结合，或是在与硅组件结合之前就制造好很多种InP元件？ RICHARD STEVENSON 硅光子学（silicon photonics ）”这 族化合物半导体激光器与硅基芯片进 器。在这两种应用中，激光器由于具 个名词有着它的优点和缺点，它 行集成制造。 有很强的光学限制效应，使得它们有 似乎朗朗上口，给人的印象是硅代工 由于在光子芯片上加入激光器有 着很高的调制效率。 厂能够加工运行速度可接近光速的芯 着不同方法，在光子集成电路（PIC ） Cisco 对数据中心的流量进行了市 片。但它也会导致混乱，因为它暗示 国际会议的开幕式上，演讲者对它们 场研究，来自NTT 的演讲者突出显示 着一个硅芯片就能够实现光子的产生、 的利弊提出了两种不同的观点。 了该项研究中的两项成果。对这部分 传输和探测。 在主题为“激光器将走向何方？” 的市场研究确认，超过四分之三的数 所有那些工作在光子集成电路 的分会场演讲中，来自日本NTT 光电 据中心流量是在国家境内传输，而数 （photonicintegrated circuits, PIC ）领域 子实验室的Shinki Matsuo 概述了一个 据中心的全球业务量正以两位数的速 的人们都知道，其实后一种说法是不 具有高成本效益比的方法，它是在硅 率在增长。 真实的
硅激光器仍然是一个遥远的 衬底上加入InP 基埋层来制作异质结 对于数据中心的市场应用，现 梦想，因为用硅材料制作的激光器是 构的激光器。而来自于ArtIC Photonics 今的主流器件是垂直腔面发射激光器 一种非常低效率的光发射器件。所以， 的Fang Wu 所主张的是硅与InP 相结 （VCSEL ），因为它兼具低的成本和非 今天若要制作一个光子芯片，其激光 合来进行电路芯片的生产。 常低的功耗，可以用于 1 至 100 米以 器仍然要由化合物半导体材料来制成。 NTT 器件技术实验室的高级资深 上距离的通讯链接。然而，它对未来 在事实上，也有可能全部采用III-V 族 研究员Matsuo 做了一个演讲，描述了 的应用可能将会无法适应，因为它难 材料来制作整个光子芯片。如Infinera 他们对两种激光器件的开发工作：用 以应付正在急剧增加的数据流量。 所示，这将是一种具有巨大商业机会 于数据通信中的是基于硅上SiO2 的分 Matsuo 认为：“在这种短距离的 的方法。然而，它并不是一种唯一的 布式反馈（DFB ）激光器，以及应用在 通讯链接中，将会通过波长分隔的多 选择，一个常见的替代方法是将III-V 计算机通信中的是一种新型光子激光 路复用技术来应对数据流量的增加”。 图1. 日本NTT工程师在埋层异质结构形成之前就进行晶圆键合，这种方法可以简化对器件的对准要求。 6 化合物半导体 2016年第4期 市场 | Market Matsuo 指出：“垂直腔面发射激光器 有助于解决这一问题，但这种激光器 （VCSEL ）正在面临着挑战，因为它对 仍然有着低输出功率和低调制速率等 单模激光及其波长很难进行控制”。他 缺点。 还指出分布式反馈（DFB ）激光器可能 为了解决这个问题，Matsuo 和同 更适合这种应用，因为它很容易对激 事们开发了一种InP 基LEAP 激光器， 光波长实现控制，它是一种成熟技术，