扩散工艺 微电子试验教学中心 西安电子科技大学.ppt

第四章 离子注入 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 概述 目的：掺杂（1954年，Shockley 提出）； 应用：COMS工艺的阱，源、漏，调整VT的 沟道掺杂，防止寄生沟道的沟道隔断， 特别是浅结。 定义:将带电的、且具有能量的粒子入射到衬 底中的过程。 离子注入的特点： ①注入温度低:对Si，室温；对GaAs,400℃。 （避免了高温扩散的热缺陷；光刻胶，铝等都可作为掩蔽膜。） ②掺杂数目完全受控:同一平面内的杂质均匀性和重复性在±1％（而高浓度扩散的最好结果只能控制在（5％-10％））；能精确控制浓度分布及结深，特别适合制作高浓度浅结、突变型分布。 ③无污染:注入离子纯度高，能量单一。 （质量分析器；背景真空度高） 离子注入的特点： ④横向扩散小：有利于器件特征尺寸的缩小。 ⑤不受固溶度限制:原则上各种元素均可掺杂。 ⑥注入深度随离子能量的增加而增加。 （诸多优点，使离子注入成为IC工艺的主要掺杂技术） 缺点： ①损伤(缺陷)较多:必须退火。 ②设备昂贵，成本高。 离子注入基本原理： 基本原理——将杂质原子经过离化变成带电的杂质离 子，并使其在电场中加速，获得一定能 量后，直接轰击到半导体基片内，使之 在体内形成一定的杂质分布，起到掺杂 作用。 离子注入三大基本要素： ——离子的产生 ——离子的加速 ——离子的控制 离子注入设备的结构 离子注入系统的原理示意图 离子注入系统的原理示意图 离子注入设备 1.离子源 作用：产生注入用的离子。 原理：杂质原子高能电子轰击（电子放电）注入离子 类型：高频，电子振荡，溅射 2.磁分析器（质量分析器） 作用：将所需离子分选出来。 原理：带电离子在磁场中受洛伦磁力作用，运动轨迹 发生弯曲。 3.加速器 作用：使离子获得所需的能量。 原理：利用强电场，使离子获得更大的速度。 离子注入设备 4.偏束板 作用：使中性原子束因直线前进不能达到靶室。 原理：用一静电偏转板使离子束偏转5o--8o作用再进 入靶室。 5.扫描器 作用：使离子在整个靶片上均匀注入。 方式：①靶片静止，离子束在X,Y方向作电扫描。②粒子束在Y方向作电扫描，靶片在X方向作机械运动。③粒子束静止，靶片在X,Y方向作机械运动。 6.靶室（工作室）：高温靶（800℃），低温靶（液氮温度），冷却靶（小于120 ℃）。 基本概念： 靶：被掺杂的材料。 常用的靶有 晶体靶：Si片； 无定形靶：SiO2、Si3N4、光刻胶等。 无定形靶：可精确控制注入深度。 4.1 核碰撞和电子碰撞 典型的注入能量E0：5 - 500keV 注入离子分布-LSS模型：能量损失模型；离子在同靶中的电子和原子核多次碰撞后，逐步损失能量，最后在靶中某一点停止下来。 （Lindhard，Scharff，Schiot三人创立） ①核碰撞（阻止） 注入离子与靶原子核碰撞，将能量传给靶核， 离子发生偏转，靶核产生位移。 ②电子碰撞（阻止） 注入离子与靶内的自由电子和束缚电子碰撞，产 生电子－空穴对； 注入离子运动方向基本不变。 4.1 核碰撞和电子碰撞 4.1.1 核阻止本领Sn(E) Sn(E)=(dE/dx)n E---注入离子在x处的能量 (dE/dx)n --核阻止能量损失率 4.1 核碰撞和电子碰撞 ①注入离子与靶原子的相互作用(当忽略电子屏蔽作用时) 库仑力 F(r)=q2Z1Z2/r2 势能 V(r)=q2Z1Z2/r Z1 、Z2 --核电荷数（原子序数）；r—距离。 ②考虑电子的屏蔽作用(当两粒子相距较远时) 势能 V(r)=[q2Z1Z2/r]f(r/a) f(r/a)--屏蔽函数；a--屏蔽参数； 最简单（一级近似）：f(r/a)=a/r，则Sn=Sn0=常数