济南碳化硅产业链发展规划.doc

济南市高性能半导体 产业链发展规划（2013—2020年） 以碳化硅、氮化镓、铌酸锂为代表的高性能半导体晶体广泛应用于信息传输、光存储、光通讯、、砷化镓砷化镓在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。6英寸碳化硅衬底片。2012年，该公司碳化硅晶体材料的产量在80—100万片之间，控制了国际碳化硅衬底片的市场价格和质量标准。美国二六（II-VI）、道康宁（Dow Corning）、德国SiCrystal AG、日本新日铁等公司也相继推出了2—3英寸碳化硅衬底片生产计划，抢占碳化硅市场份额。国内自上世纪90年代以来，山东大学、中科院等高校和科研院所相继开展了碳化硅单晶生长技术的研究。2011年，山东天岳公司在消化吸收山东大学研究成果的基础上，成功实现碳化硅衬底片的产业化，成为世界上少数几家同时掌握N型和半绝缘型碳化硅半导体材料生产技术的企业之一，晶体生长和衬底加工技术达到世界先进水平，打破了西方发达国家对我国的技术垄断和封锁。此外，北京天科合达具备了生产2-4英寸导电型碳化硅衬底片的生产能力，并开展了非掺杂半绝缘碳化硅晶体生长技术的研发。 随着碳化硅衬底材料技术的不断改进，器件研制发展迅速。科锐的耐压为1200V 碳化硅基金氧半场效晶体管MOSFET），已经太阳能发电用逆变器、高电压输出DC/DC转换器以及马达驱动用逆变器等三菱电机利用肖特基二极管SBD）和MOSFET生产的电机变频器，与器件制造的同类相比功耗减少70%整机体积罗姆公司推出第二代基SBD和基MOSFET产品大金空调铁路用逆变器光伏发电系统电动汽车用快速充电器中飞兆基双极结型晶体管BJT）产品，耐压值更高，损耗值降低30～50%，输出功率提升40%。2004年开始，国家通过实施一系列科技计划，大力支持引导碳化硅电力电子器件及相关产业发展，在碳化硅器件结构设计及建模、器件制造工艺技术等方面开展了广泛研究。南车时代电气与中科院微电子所合作开发了600V和1200V/20A 碳化硅SBD器件工程片、碳化硅MOSFET器件样品。济南市半导体元件实验所、济南晶恒电子有限责任公司联合国内有关单位承担了国家碳化硅器件重大专项项目，开展了碳化硅肖特基二极管项目的研制。但总体上，我国在高压碳化硅电力电子器件制造工艺技术、产业化推广方面与国外存在较大差距。 近年来，美、日和欧洲发达国家均把发展碳化硅半导体产业列入国家战略，聚集精英人才，投入巨资加快推动。美国国防部投资10亿美元，实施宽禁带半导体专项计划，重点解决碳化硅宽禁带半导体材料、工艺制造、封装与可靠性方面等问题；日本将“利用宽带隙半导体材料（如碳化硅、氮化镓等）制成的高性能功率器件有望显著促进清洁经济型能源体系的建立”列入了综合科学技术发明战略(即“首相战略”)。根据国外权威机构分析报告显示，今后一段时期，碳化硅晶体材料及器件将保持年均30%以上的快速增长。预计到2020年，全球市场容量将达到1800亿美元以上。 （二）铌酸锂产业发展现状。 铌酸锂（LiNbO3）晶体是集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一体的人工合成晶体。基于铌酸锂单晶薄膜生产的光电子器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上。一片直径3英寸铌酸锂单晶薄膜信息存储量达70T（相当于10万张CD），读写速度达纳秒级，可以实现信息存储领域的高密度数据存储。铌酸锂单晶晶体材料可广泛应用于声表面波、电光调制、光陀螺、光参量振荡、光全息存储等器件，在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等以及军工重要作用。美国晶体科技日立材料宁夏东方钽业股份有限公司德清微光元件有限公司碳化硅碳化硅重大工程项目LED管芯240亿粒、LD器件600万只的生产能力。宝世达等LED封装测试和应用开发企业也形成一定规模。 （二）突出的技术优势。山东大学晶体材料国家重点实验室承担了多项国家重大科技课题，在碳化硅N型和半绝缘型碳化硅半导体材料生产技术的企业，碳化硅1个/平方厘米的世界先进水平。山东天岳与山东大学联合建立碳化硅半导体产业研发中心，研究内容覆盖碳化硅半导体产业链条各环节。济南晶恒肖特基势垒整流二极管和DB系列双向触发二极管产品的生产规模、质量水平居首位。LED芯片、LD芯片技术水平国内领先。 （三）政府高度重视。山东省、济南市高度重视高性能半导体产业发展，省、市各级主要领导多次到企业调研，召开现场会议，研究支持措施，解决企业实际困难。各级、各有关部门加大对山东天岳、济南晶正电子等核心企业和相关配套企业的支持力度，在土地指标、手续办理、配套设施建设等方面出台优惠政策。省、市两级新能源产业发展、产业引导、科技重大专项等财政资金优先支持高性能半导体产业发展。 但应当看到，济南市高性能半导体产业发展还存