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快冷铸造成型制备Si~Al合金电子封装材料 组长 刘明 组员 叶伦 陶冠官 陆登月 陈小顺 李德超 报告内容 　 一.概述 1.电子封装材料的概述 2.高硅Si-Al合金电子封装材料的概述 二.实验部分 1.单一组份Si-Al性能探讨 （以50%Si-Al为例说明问题） 三.实验成果 电子封装材料概述 二十一世纪科学技术的发展，尤其突出的表现就是电子科学技术的发展。随着电子元器件朝着尺寸更小、质量更轻、运算速度更快的方向发展，对电子封装材料也相应地提出了更高的要求。据文献报道[1]随着集成电路集成度的增加，芯片发热量成指数关系上升，从而使芯片的寿命降低，芯片温度每升高10℃，GaAs或Si半导体芯片寿命就会缩短三倍。这主要是因为在微电子集成电路及大功率整流器件中，材料间散热性能不好而导致的。解决这个问题最重要的手段就是使用具有更好性能的新的封装材料并且改进原有的封装工艺。 性能 作用 低的CET 能与半导体芯片材料相匹配，热膨胀系数相近不会产生过大的热应力，保护芯片 高的TE 将半导体工作时产生的热量散发出去，保护芯片，使芯片不因温度过高而失效 良好的气密性 抵御高温、高湿、辐射、腐蚀等有害环境对电子器件的影响 高的强度和刚度 良好的机加工性能 轻质 支撑和保护芯片 利于加工成各种复杂的形状 减轻电子器件的重量，方便携带 电子封装材料概述 电子封装材料概述 电子系统封装主要包括三方面的技术： 1.电学方面：晶体管之间的信号传输及各个部件的电力分配 2.材料方面：信号和电力分配方面正确使用材料，电力分配时需高电导率，器件散热时需高热导 3.机械方面：不同性质不同材料的使用必然会在界面中引起热应力。 电子封装材料概述 金属封装材料： 优点：机械强度较高、散热性能较好、对电磁有一定的屏蔽功能 缺点：纯金属铝、银、金和铜的CTE较高钨、钼 和硅较易被侵蚀且焊接性能差 应用领域：应用范围较小 电子封装材料概述 伴随着IC集成度的提高和应用环境的变化，传统的单一质 的电子封装材料已经越来越不能适应先进电子器件对封装的 要求。现在亟需解决的就是原有的电子封装材料不能满足封 装的要求。发掘新的封装材料体系及材料加工方法已经成了 迫在眉睫的事情。近些年，世界各国也都对新的电子封装复 合材料进行研究和开发，以期在能有新的材料能满足现在对 电子封装材料的种种要求。 近年来世界各国对铝基金属合金的关注和研究比较多，下 面我们就铝基硅复合材料的发展、研究现状及制备工 艺方法等进行详细阐述。 高硅Si-Al合金电子封装材料的概述 元素 熔点/℃ 比热容J/kg·K 密度g/cm3 热膨胀系×10-6K 热导率 W/m·K Si Al 1410 660 0.713 0.905 2.3 2.7 4.1 23.6 148 237 高硅Si-Al合金电子封装材料的概述 1.密度2.3-2.7g/cm3、CTE介于4.5-11×10-6/K之间TE100W/m·k 2.高硅Al-Si合金电子封装材料中，高体积分数的硅基体保证了其较低的热膨胀系数，从而很好的解决了与电子芯片相匹配的问题，而合金内部连通分布的铝金属则保障了封装材料高的导热散热性能，硅和铝单质两者的低密度同时保证了合金材料的轻质性能 3.硅和铝在地球上的含量十分丰富，硅粉与铝粉单质的制备工艺也相当成熟，成本比较低。 所以高硅铝合金电子封装材料有望成为一种应用前景广阔的电子封装材料，特别是用于航空航天及便携式电子器件等高科技领域。 梯度Si-Al合金电子封装材料的概述 硅铝合金作为一种新型封装材料，由于其密度小,热膨胀系数低,热传导性好，容易加工成所需形状，可以电镀，同时能够满足航空航天设备和移动、计算通讯设备轻量化的要求。此外，该材料具有足够的强度和刚度，能够用传统工艺方法进行机械加工和涂镀，因此具有广阔的应用前景。但硅铝合金中存在一个矛盾，即随着硅含量的增加热导率增加，热膨胀系数减小，但由于硅含量的增加机械加工的难度相对增大，比较难进行焊接。单一组分的硅铝合金已不能满足一些特殊电子封装的需要，亟需研究一种具有高热导且易机加工的材料，这就要求在同一封装材料中存在组分的变化，且各个组分材料又保持着各自组分的特性。 迄今，Si-Al合金的制造方法归纳起来主要有下几种： 1.粉末冶金法；2.熔渗法；3.喷施沉积法 ；4.真空热压法；5.熔铸法 结合目前研究的情况表明：Si-Al合金材料的封装性能主要取决于其组织结构的致密性和均匀性，选择合适的制备方法格外重要! 工艺选择的概述 二.实验部分 实验部分（一）原料和设备 实验原料： 纯