BJT的电流分配与放大作用 .docVIP

BJT的电流分配与放大作用 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 nbsp;nbsp;nbsp; 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。（BJT的工作条件） 1. 内部载流子的传输过程 ünbsp; 发射区：发射载流子 ünbsp; 基区：传送和控制载流子 ünbsp; 集电区：收集载流子 nbsp;nbsp; （以NPN为例） 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。基区空穴向发射区的扩散可忽略。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBnbsp; ,多数扩散到集电结。集电区收集扩散到集电结边缘处的电子形成集电极电流Inc（IC的主要部分）。因集电结反偏，有少子形成反向电流ICBO 。 nbsp;nbsp;nbsp; 由以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管，或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 nbsp;nbsp;nbsp; 2. 电流分配关系 （1）三个电极电流总关系 IE = IB+ IC IC = InC+ ICBO IB = IB’ - ICBO （2）共基极电流传输系数a nbsp; 由载流子的传输过程可知，由于电子在基区的复合，发射区注入到基区的电子并非全部到达集电区，管子制成后，复合所占的比例也就定了。也就是由发射区注入的电子传输到集电区所占的百分比是一定的，这个百分比用α表示。 nbsp;nbsp;nbsp; 因 IC= InC+ ICBO，且nbsp;nbsp; IC gt;gt; ICBO a 称为共基极电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 a = 0.9~0.99。 （3）共发射极电流放大系数b nbsp;nbsp; ， iC＝b iB 发射区每向基区供给一个复合用的载流子，就要向集电区供给b 个载流子,亦即iC是iB的b 倍。 b 是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 bnbsp; gt;gt; 1，通常 为20～200。 b 和 a 的关系： nbsp;，nbsp; iC＝b iB nbsp;nbsp;nbsp; 由和，nbsp; iC =αiE 所以 可得nbsp; nbsp; 两种类型三极管各电极电流方向 nbsp; nbsp; NPN型三极管nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp; PNP型三极管 3. 三极管的三种组态 BJT的三种组态 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示; 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 4. 放大作用 共基极放大电路 若DvI = 20mV，使DiE = -1 mA，当a = 0.98 时， 则DiC = a DiE = -0.98 mA，DvO = -DiC#8226; RL = 0.98 V， 电压放大倍数。 共射极放大电路 若 DvI = 20mV ， 使 DiB = 20 uA。 设 a = 0.98， 则 DvO = -DiC#8226; RL = -0.98 V 电压放大倍数。 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 三极管能起放大作用的条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 对于共射极电路，是以基极电流 iB作为输入控制电流，研究其放大过程主要是分析集电极电流 iC（输出电流）与基极电 流 iB（输入电流）之间的关系。若能设法改变 iB ，就能控制iC，这就是三极管“以弱控制强”的电流放大作用。三极管属电流控制器件。 共射极电路不但能得到电压放大，而且还可得到电流放大，所以共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。