半导体三极管的主要参数 .docVIP

半导体三极管的主要参数 　　半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。　　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1．直流参数 　　（1）直流电流放大系数 　　 共发射极直流电流放大系数 　　　　　　　　（1） 　　在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE＝const)来求取IC / IB ，如图1所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见图2。 图 1 在输出特性曲线上决定图2 值与IC的关系　 　　 共基极直流电流放大系数　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　 　（2）　 图3 ICEO在输出特性曲线上的位置　 显然与之间有如下关系 　　　　　　　　 　　（3） 　　（2）极间反向电流 　　 集电极-基极间反向饱和电流ICBO 　　ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 　　 集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO：ICEO和ICBO有如下关系 　　ICEO＝（1＋β ）ICBO （4） 　　相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB＝0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图3所示。集电极-发射极间的反向饱和电流又称穿透电流。 　 　2．交流参数 　　（1）交流电流放大系数 　　 共发射极交流电流放大系数b 　　　　　　β＝△IC/△IB|vCE=const （5） 　　在放大区， b值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取△IC/△IB。或在图2上通过求某一点的斜率得到b。具体方法如图4所示。 图4 在输出特性曲线上求取β　　 共基极交流电流放大系数α 　　α＝△IC/△IE （6） 　　当ICBO和ICEO很小时，　α≈α、 β≈β，可以不加区分。 　　（2）特征频率fT 　　三极管的β值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的β将会下降。当β下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。　 　　3．极限参数 　　（1）集电极最大允许电流ICM 　　如图1.4.9所示，当集电极电流增加时，β就要下降，当β值下降到线性放大区β值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于β值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。 　　（2）集电极最大允许功率损耗PC 　　集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM＝ ICVCB≈ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 　　（3）反向击穿电压 　　反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图5所示。 图5 三极管击穿电压的测试电路 图6 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 　　 V(BR)CBO--发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头,C、B代表集电极和基极,O代表第三个电极E开路。 　　 V(BR)EBO--集电极开路时发射结的击穿电压。 　　 V(BR)CEO--基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 　　对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系： 　　V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO 　　由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图6。