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CN107179130-CN201610138286-基于智能处理器平台的红外热成像传感器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107179130 A (43)申请公布日 2017.09.19 (21)申请号 201610138286.9 (22)申请日 2016.03.11 (71)申请人 合肥芯福传感器技术有限公司 地址 230031 安徽省合肥市高新区创新产 业园二期F1栋1405室 (72)发明人 赵照  (51)Int.Cl. G01J 5/20(2006.01) G01J 5/02(2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 基于智能处理器平台的红外热成像传感器 (57)摘要 本发明涉及一种基于智能处理器平台的红 外热成像传感器,包括MEMS传感阵列,用于采集 红外信号,将红外信号转换为模拟信号;智能处 理器平台,用于控制MEMS传感阵列采集红外信号 并且将采集到的红外信号进行数据运算、分析、 控制、输出;集成电源,为传感器提供电源和参考 电压;所述MEMS传感阵列、智能处理器平台和集 成电源是采用单片集成工艺在硅晶圆片衬底上 一体化制作而成,使得传感器体积缩小70%以上, 成本下降80%以上,同时其性能、指标和稳定性也 有全面提升,例如,核心NETD指标达到18~60mk, 可以广泛应用于智能汽车、医疗健康、无人机、机 A 器人、安防监控、消防监控、工业生产、仪器仪表 0 等领域。 3 1 9 7 1 7 0 1 N C CN 107179130 A 权 利 要 求 书 1/1页 1.一种基于智能处理器平台的红外热成像传感器,其特征在于:包括MEMS传感阵列,用 于采集红外信号并将红外信号转换为模拟信号;智能处理器平台,用于控制MEMS传感阵列 采集红外信号并且将采集到的红外信号进行数据运算、分析、控制、输出;集成电源,为MEMS 传感阵列和智能处理器平台提供电源和参考电压;所述MEMS传感阵列、智能处理器平台和 集成电源是采用单片集成工艺在硅晶圆片衬底上一体化制作而成。 2.根据权利要求1所述的一种基于智能处理器平台的红外热成像传感器,其特征在于: 所述智能处理器平台包括ROIC采集电路、DSP+GPU+MCU处理器单元和系统接口,所述ROIC采 集电路,连接至MEMS传感阵列,用于完成模拟信号处理、模拟数字信号转换、数字逻辑控制 和数字信号输出;所述DSP+GPU+MCU处理器单元,连接至ROIC采集电路,用于完成图像的算 法处理、智能分析、整体控制和人机操作;所述系统接口,连接至DSP+GPU+MCU处理器单元, 用于与外部对接。 3.根据权利要求1或2所述的一种基于智能处理器平台的红外热成像传感器,其特征在 于:所述MEMS传感阵列由4x4~1920x1080个像素阵列组成,每个像素尺寸处于7um~35um之 间。 4.根据权利要求1所述的一种基于智能处理器平台的红外热成像传感器,其特征在于: 所述ROIC采集电路由模拟处理电路、ADC电路和逻辑控制电路组成。 5.根据权利要求1所述的一种基于智能处理器平台的红外热成像传感器,其特征在于: 所述MCU+DSP+GPU处理器单元由MCU控制中心和DSP+GPU处理中心组成,所述MCU控制中心由 CPU、RAM和ROM组成;所述DSP+GPU处理中心由DSP、GPU、RAM和ROM组成。 6.根据权利要求1所述的一种基于智能处理器平台的红外热成像传感器,其特征在于: 所述系统接口由接口电路和逻辑电路组成,所述接口电路具有串行、并行或控制接口中的 一种或多种。 7.根据权利要求1所述的一种基于智能处理器平台的红外热成像传感器,其特征

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