制程技术提升LED发光效率.PDF

製程技術提升LED發光 效率 大綱 前言 簡介 能帶圖 發光波長 轉換效率 結構 封裝 白光 LED 結論 參考資料 前言 •發光二極體 (Light Emitting Diode ，簡寫為 LED)是一種 可將電能轉變為光能的半導體發光器件 ，屬於固態光 源 。 • LED初期問世 ，當時的 LED 以紅色為主 ，發光效率很 低 ，光通量很小，只能作指示燈和儀錶顯示器使用 。 •隨著材料 、結構和封裝技術的不斷進步 ，發光效率大 幅度提高 ，尤其是近年來高光效、高亮度的白光 LED 的開發成功 ，使得 LED在照明領域的應用成為可能 。 現在人們普遍認為 LED將可望發展成第四代光源。 LED簡介 •發光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二 極體一樣，發光二極體由P型及N型半導體晶片 組成。 • 它所發出的光的波長，及其顏色，是由組成pn 接面的半導體材料的能隙寬度所決定。 優點 •發光效率高 •使用壽命長 •不易破損 •可調整光之強弱 •耗電量少 •環保無汞 •低電壓.安全性高 •體積小 .可塑性強 ,可施工在任何造型上 •光源具方向性 •色域豐富 (波長可控制) 缺點 •散熱問題 ,不利於使用在高溫環境中 •需再設計控制電路 •目前成本較高 (專利保護 ) 直接能隙 使用直接能隙 ，如採用間接能隙 會消耗到不必要的能量 (X軸 ) 、 造成發光效率變差或改變波長 。 由材料的能隙可決定發光波長 λ(nm) = 1240 / Eg λ: 發射光的波長 Eg: 材料的能隙 LED動作原理 • 零偏壓下 p n p n • 加上順向偏壓 +V p n p n light LED I-V characteristic 發光波長 GaP 能隙決定發光波長 •由材料的能隙可決定發光波長 1240 λ(nm) Eg λ: 發射光的波長 Eg: 材料的能隙 以GaN為例 ，其Eg為3.4eV ，則發射光的波長為 : λ= 1240/3.4= 365 nm 光電轉換效率 • 內部量子效率 (Internal Quantum Efficiency) • 光取出率(Light Extraction Efficiency) • 外部量子效率(External Quantum Efficiency) 發展高亮度 LED相關技術就必須提高IQE跟 LE