4-1 晶体三极管及其基本放大电路.pptVIP

§4.1 晶体三极管 4.1.1 晶体管的结构和符号 4.1.2 晶体管的电流放大作用 电流分配：IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 选择题： 4.1.3 晶体管的共射特性曲线 2. 输出特性 4.1.4主要参数 4.1.5 温度对晶体管特性的影响 §4.2 放大电路的组成原则 4.2.1 基本共射放大电路的工作原理 例2： 下图为某电路的直流通路,已知VBEQ=0.7V, ?=80, 求静态工作点Q。 2. 设置静态工作点的必要性 3、波形分析 2. 两种实用放大电路： （2）阻容耦合放大电路 4.3.1 放大电路的直流通路和交流通路 1. 直流通路：① Us=0，保留Rs；②电容开路； ③电感相当于短路（线圈电阻近似为0）。 2. 交流通路：①大容量电容相当于短路；②直流电源相当于短路（内阻为0）。 基本共射放大电路的直流通路和交流通路 阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路 例1： 画出下图的直流通路与交流通路 4.2.2 如何组成放大电路 静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数。 动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。 对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。 例3： 试分析各电路对正弦信号有无放大作用，并简述理由（设各电容的容抗对交流可忽略） 第四章 晶体三极管及其基本放大电路 小功率管 中功率管 大功率管 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使扩散到基区的电子（非平衡少子）中的极少数与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当PNP管工作在放大状态时，三个电极的电压应为（ ） A VcVbVe B VcVbVe C Vb VcVe D Vb VcVe 答：A 提示：放大状态应有发射结正偏、集电结反偏。 测量硅三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 例1 ： 提示：三极管有四种工作状态 放大状态：发射结正偏、集电结反偏； 饱和状态：发射结正偏、集电结正偏； 截止状态：发射结反偏、集电结反偏； 倒置状态：发射结反偏、集电结正偏； 解: (a)放大状态； (b)截止状态； (c)饱和状态 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 饱和区 放大区 截止区 测量硅三极管各电极对地的电压值如下，试判断管子工作在什么区域。 例2 ： 提示：硅管的三个区域特点为： 饱和区：VCE 1V; 截止区：VBE 0.5V(开启电压Vth) 除此之外为放大区. 解: (a)放大区 Vc =6V VB =0.7V VE =0V Vc =6V VB =6V VE =5.4V Vc =6V VB =4V VE =3.6V (b)饱和区 (c)截止区； 备注：此例题为187页作业题4.2.3 (a) (c) (d) 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 一、基本共射放大电路的工作原理 二、如何组成放大电路 VBB、Rb：使UBE＞ Uon，且有合适的IB。 VCC：使UCE≥UBE，同时作为负载的能源。 Rc：将ΔiC转换成ΔuCE(uO) 。 静态工作点Q:记作IBQ、 ICQ（IEQ）、 UBEQ、 UCEQ。 1. 各元件的作用 IBQ ICQ + VCEQ - + VBEQ - 解： 输出电压必然失真！ 为什么放大的对象是动态信号，却要晶体管在信号为零时有合适的直流电流和极间电压？ 例： 输出和输入反相！ 动态信号驮载在静态之上 问题： 1. 两种电源 2. 信号源与直流电源不“共地” 有直流分量 有交流损失 （1）直接耦合放大电路 耦合电容的容量应足够大，即对于交流信号近似为短路。其作用是“隔