模拟电子技术基础试卷2.docVIP

院系_________________专业________________班级_________________________姓名_______________学号______________ ………………………密…………………………封…………………………线………………………… 《模拟电子技术基础》试卷2 题号 一 二 三 四 总分 得分 得 分 评卷人 一、填空题（每空1分，共20分） 得 分 评卷人 1．在本征半导体中加入 价元素可形成P型半导体。 2．PN结最主要的特性是 。 3．如图1所示，设二极管导通电压＝0.7V，则电路的输出电压值为 。 4．某个三极管工作在线性放大区，当，测得;当时，。则电流放大系数＝ ，反向饱和电流= 。 5．场效应管的三个工作区域为 ， ， 。 6．现测得放大电路中这只管子两个电极的电流如图2所示。则另一电极的电流为 ，并在图2中标出其实际方向 ；在圆圈中画出管子的类型 。 7．对共射放大电路来说，发生在输出信号正半周期的失真是 ，发生在输出信号负半周期的失真是 。 8．集成运放输入级均采用 放大电路。 9．如图3示，这是一个 级放大电路。假设各级均为共射电路，那么电压放大倍数 。 10．由理想运放构成的运算电路如图4示，=0.1V，=0.45V，则输出电压= 。 11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用 滤波电路。 12．在乙类功率放大器中，由于三极管的死区电压造成的失真称为 。 13．电压比较器中的集成运放工作在 区。 图1 图2 图3 院系_________________专业________________班级_________________________姓名_______________学号______________ ………………………密…………………………封…………………………线………………………… 图4 图5 得 分 评卷人 二、选择题（每题只有一个正确答案，将答案填在横线上。每题2分，共20分） 1．PN结加正向电压时，耗尽层将 。 A．变窄 B．基本不变 C．变宽 D．不确定 2．当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为 。 A．前者正偏、后者正偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者反偏、后者正偏 D．前者反偏、后者反偏 3．如图5所示，这个管子的类型和材料为 。 A．PNP硅管 B．PNP锗管 C．NPN硅管 D．NPN锗管 4． 不是直接耦合放大电路产生零点漂移的原因。 A.元件的老化 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 5．差分放大电路输入信号为，那么共模信号和差模信号分别为 。 A. B. C. D. 6．欲将矩形波转换成三角波，应选用 电路。 A. 微分运算电路 B.积分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 7．一阶RC高通电路的最大相移是 。 A． B． C． D． 8．若要降低某放大器的输入电阻