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第八章 固体成像器件  ——电荷耦合器件CCD 真空成像器件： 核心：靶面。通过靶面上的光敏材料把光学图像转变成靶面上的电学图像。 通过电子束按顺序地对靶面各像素进行扫描，将靶面上的电学图像转换成仅随时间变化的一维电信号（视频信号），再传送出去。 该类成像器件60年代被广泛应用，后期随着半导体技术的发展，特别是MOS集成电路工艺的成熟，固体成像器件得到很大的发展，70年代末产品成熟。 固体成像器件： 器件本身能完成光学图像转换、信息存贮和按顺序输出（即自扫描）视频信号的全过程。 分两类：电荷耦合器件（CCD） 自扫描光电二极管列阵（SSPD，又称MOS图像传感器） 固体成像器件和真空摄像器件相比具有的优点： 1。全固体化，体积小，轻，工作电压和功耗很低；可靠性高，寿命长。 2。基本没有残像（真空摄像管有），不受电磁干扰。 3。响应波段广，对红外敏感。军事上可作为红外夜视系统。 4。像元尺寸的几何位置精度高（大于1微米）。可用于不接触精密尺寸测量系统。 5。视频信号和微机接口容易。 CCD的工作原理： CCD应用的分类： 1.在电子计算机或数字系统中信息存贮与处理 2.摄像装置 CCD的工作原理： 两个基本类型： 一、电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，且沿界面传输，称为表面沟道电荷耦合器件（SCCD） 二、电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体内沿一定方向传输，称为体内沟道或埋沟道电荷耦合器件（BCCD） CCD结构 基本单元（一个像素）是MOS结构。 CCD工作原理 四种平衡状态 CCD的非稳态工作 深耗尽：施加电压VGVth瞬间，空穴被排斥（10-12s），而电子尚未产生（源于热激发的产生-复合过程，弛豫时间T: 0.1~10s） t T，势阱被热激发电子填满而形成反型层，势阱消失 要求存贮有用信号电荷的时间小于热激发电子的存贮时间。 通过内部时钟脉冲控制电荷包的存储时间 CCD的电荷耦合过程 CCD电荷的注入 CCD摄象器件的光敏单元为光注入方式。 当光照射到CCD上时，在栅极附近的半导体体内产生电子－空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 电注入：CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，然后将信号电压或电流转换为信号电荷。 CCD电荷的输出 CCD的工作原理 CCD组成： MOS(metal－oxide－semiconductor) 移位寄存器 电荷转移栅 相邻两个光敏面的中心距在13～16微米范围内,栅极间距2.5微米。CCD把光信息变成电脉冲，每个脉冲反映一个光敏元的受光情况，脉冲幅度的高低反映光敏元受光照的强弱，输出脉冲的顺序可以反映光敏元的位置，起到图像传感的作用。 1。MOS光敏元的工作原理 MOS结构，一般以硅为半导体村底，在上热生长一层二氧化硅，在二氧化硅上面淀积一定形状的金属层。 村底可以是P型或N型 以P为例说明 2。移位寄存器 也是由金属电极、氧化物介质及半导体三部分组成，与MOS光敏单元不同的是不能受光照，要防止外来光线的干扰。 3.光敏单元中的电荷向移位寄存器转移 FT (Frame Transfer) 帧转移 IT (Interline Transfer) 行间转移 CCD电荷的注入（P195） 电荷输出方式（P196） 电荷耦合器件的特性参数（P198） 1.电荷转移效率和转移损失率 2.工作频率 3.电荷贮存容量 4.CCD的噪声 主要性能指标： １.像素数：感光元件的数量 2.CCD尺寸：感光器件的大小 ３.帧频：采集图像的速度 4.分辨率 三、主要特性： 1.体积小，重量轻，耗电少，启动快，寿命长 2.光谱相应范围宽 3.灵敏度高 4.暗电流小，监测噪音低 5.动态响应范围宽 6.分辨率高 7.与微光像增强器级联，低照度下可采集信号 8.有抗过度曝光性能 五、CCD输出信号的处理方式 CCD一般输出信号为负极性视频信号，对CCD输出信号的处理方式很多，典型的用于检测和控制的信号处理方式如下： 1。CCD－放大－二值化处理－计数 2。CCD－放大－滤波－比较整形－高频填脉冲－计数 3。CCD－放大－同步采样保持－高速A/D转换－存储－计算机图像处理 4。CCD－放大－滤波－变成全电视信号－存储（面阵CCD） CCD应用 １．用于测量 ２．微光电视中的应用 * * 金属 氧化物 半导体 VG VG=0，多子均匀 VG0，多子堆积 多子耗尽，形成势阱 反型状态，N沟道 电子迁移率高 自扫描：通过时钟脉冲的驱动完成信号电荷的传输 电荷包 a1→b1→c1→a2 从t1~t4电荷传输一个电极 从t1~