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驱动电路相关知识 2012.03.20 内容 IGBT驱动能力需求计算 门极电压的确定 门极电阻确定 IGBT驱动能力需求计算 驱动功率计算 1、通过输入结电容计算： 在输入结电容中存贮的能量可通过如下计算： W＝Cin*ΔU2 / 2 每个工作周期，门极电容一充一放，驱动功率为： P＝f*Cin*ΔU2 经验公式：Cin=5Cies,故可得： P＝5Cies*f*ΔU2 （Cies可直接通过IGBT数据手册获得） IGBT驱动能力需求计算 2、通过栅极电荷计算 负载无输出电压情况下，门极电荷计算公式如下： Q＝∫idt＝Cin*ΔU 带入公式： P＝f*Cin*ΔU2 可得： P=Q*f*ΔU （Q在IGBT数据手册中一般也会给出） IGBT驱动能力需求计算 上述两种方法所求得的需求功率可能不同 原因：数据手册中栅极电荷 Q一般为ΔU=30V时测得 IGBT驱动能力需求计算 驱动电流 一般要求驱动电路的最大输出电流必须大于实际门极驱动的电流。 Ig（max） = ΔU / Rg（min） Rg一般由两部分组成： Rinternal（内置电阻）：IGBT内部 Rexternal（外置电阻）：外加电阻；其最小值为数据手册的测试值 IGBT对其驱动电路的要求 门极电压 开通电压：对饱和电压和短路电流的影响 关断电压：对关断和损耗的影响 门极电阻 对开关能耗和开关特性的影响 选择和配置的注意事项 其他 门极电压的确定 1、正向栅压（+Vge）要求 （1）IGBT导通时，要能提供足够的驱动电压和电流幅度，IGBT处于饱和区 （2）瞬时过载时，能保证IGBT仍处于饱和区 *一般而言，IGBT导通后，Vge越高，CE间的电压就越低，IGBT损耗就越小； 但是，Vge也并非越高越好，一般不允许超过20V，综合考虑一般选15V左右。 门极电压的确定 对饱和电压的影响：Vge上升，Vce下降 门极电压的确定 对短路电流的影响：Vge上升，Ic上升 门极电压的确定 2、反向栅压（-Vge）要求 保证IGBT栅极能够在出现开关噪声时仍能可靠关断，防止误开通 需要反向栅压原因：IGBT关断期间，电路其他部分工作，可能在栅极电路产生一些高频振荡信号，使管子误导通 -Vge大小：-5~-15V IGBT关断特性与-Vge有密切联系，一般|-Vge|越大，关断交换时间和损耗越小 驱动电阻选择 Rg对开通影响大，表现在以下几个方面： 开通能耗（Eon） IGBT的电流尖峰（续流二极管的反向恢复电流） dv/dt Rg对关断影响不明显，表现在以下几个方面： 关断能耗（Eoff） di/dt（主要由芯片技术决定，Rg很大时才有影响） dv/dt Rg对开通和关断延时都有影响 驱动电阻选择 驱动电阻选择 驱动电阻选择 驱动电阻选择 Rg下限：规格书中的测试条件 Rg上限：IGBT损耗/发热，死区时间 功率计算（假设驱动功耗都消耗在Rg上）： Pg = ΔVge * Qg *f *2 其中：ΔVge = Vcc-Vss Qg = ΔVge/30 × QG QG：见规格书（-15V…+15V） f：开关频率 注：Rg功率是由IGBT栅极驱动的功率决定的，一般，PRg=2*PG 驱动电阻选择 设置Rg的一些注意事项 1、进了减小栅极回路的电感阻抗 驱动电路靠近IGBT;同一驱动的两条走线尽量近；使用无感电阻 2、IGBT开通关断选择不同的栅极电阻 一般Ron大一些，Roff小一些 3、IGBT栅极、射极间接10~100K电阻 防止未接驱动情况下，通过米勒电容引起的IGBT损坏 4、Rge和门极箝位元件尽量直接放到 IGBT引脚附近 * * *