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P. * * LED磊晶简介 2011-4-10 磊晶（ Epitaxy） 在衬底上生长单晶材料的工艺,又称外延。 在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延。 在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延。 磊晶的方法 液相磊晶(LPE)、有机金属气相磊晶(MOCVD)、分子束磊晶(MBE) MOCVD 目前MOCVD是LED业界主流机台。 优点是磊晶的速度快，量产能力佳，应用领域广，可以用于LED、LD、HBT。要在单晶基板上沿特定方向成长为单晶晶体，并控制其厚度及掺质浓度。其中掺入P型(N型)材料改变磊晶层中主要导电载子电洞浓度。 “磊晶”的概念 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 有机金属化学气相沉积 原料： Ⅲ 族的(CH3)3Ga TMGa (三甲基镓) 、(CH3)3In TMIn (三甲基铟)等 Ⅴ族特殊气体如AsH3 (arsine) 砷化氢、PH3 (phosphine)磷化氢、NH3等 载气 条件：高温 衬底：GaAs芯片、人造蓝宝石等 环境：MOCVD机台Reactor Chamber内 基本化学式： 四元 TMGa(g) + AsH3(g) → GaAs(s) +CH4(g) 蓝光 TMGa(g) + NH3(g) → GaN(s)+CH4(g)+N2(g)+H2(g) MOCVD技术与机台的设计，应用,延伸问题包涵多种学问与原理： 物理、化学、数学、流体力学、热力学、机械力学、材料学及电磁学等等 Recipe x MOCVD機台 = 磊晶結果 MOCVD工艺原理 蓝光LED结构 有源层 GaN: 氮化镓 InGaN: 氮化铟镓 AlGaN: 氮化铝镓 氮化镓(GaN)生长 MOCVD Reactor Chamber TMGa : 三甲基镓 TEGa :三乙基镓 TMIn :三甲基铟 TMAl :三甲基铝 Cp2Mg :二茂镁 2500g 1200g 350g 100g 原料：常用MO源种类 项目 蓝宝石衬底 (Sapphire、Al2O3) 氮化镓衬底 (GaN) 碳化硅衬底 (SiC) 硅衬底 (Si) 晶格常数(A) 4.758 3.189 3.08 5.431 结构 六角晶状 六角晶状 六角晶状 立方体 优点 低成本 晶格一致 热膨胀性与化学稳定性高导电性佳 导热性佳 导热性极佳 导电性佳 易加工 低成本 尺寸大型化容易 导电性佳 导热性佳 缺点 晶格失配(15%) 成本极高 成本高 晶格差异(3.1%) 晶格失配 发光效率差 衬底比较 缓冲层(buffer) n型氮化镓(n-GaN) 厚度2um 氮化铟镓/氮化镓 多量子阱(InGaN/GaN MQW) 资料来源:日本赤崎教授的研究 QW: barrier(垒) + well (阱) GaN InGaN p型氮化铝镓(p-AlGaN) p-AlGaN为电子阻挡层，将未掉入MQW的电子弹回阱内，以增加光的效率。 p-AlGaN p-AlGaN p型氮化镓(p-GaN) p-type acceptors 掺Mg GaN外延片之阻抗与退火温度的关系 MOCVD设备及系统 反應腔 Reactor 氣體傳輸系統 gas mixing system 電控系統 E -Control unit Cooling unit Heater unit Temp. control unit Pressure control unit Glovebox 後端管路抽氣系統 Exhaust system Filter Butterfly valve Vacuum Pump gas supply power Control computer PLC SLC… Safety control system Cooling supply 氣體偵測器 MOCVD 厂商品牌 Aix (2800G4) Veeco (K465i) Aix (Crius) Apply * Aix (Crius, TS) MOCVD 100 tubes/inch2 (9807 tubes) Фtube=0.6 mm Epistar MOCVD机台硬件 Thomas Swan Interferometer Veeco RealTemp 100 tubes/inch2 = 15.5 tubes/cm2 Thomas Swan Veeco 45x2 Veeco 21x2 Showerhead Flowflange 30x2 31x2 37x2 Veeco 21