精品-《光电子材料与器件》考试重点复习.pdfVIP

- 1 - （6） 1、能带形成的原理 孤立原子的电子占据一定的原子轨道， 形成一系列分立的能级。 如果一定数量的 原子相互结合形成分子， 则原子轨道发生分裂， 形成的分子轨道数正比于组成分 子的原子数。 在包括半导体在内的固体中， 大量原子紧密结合在一起， 轨道数变 得非常巨大， 轨道能量之差变得非常小， 与孤立原子中的分立能级相比， 这些原 子轨道可视为能量是近似连续分布的。 这种能级近似连续分布的能量范围， 即为 能带。 2、半导体发光机理 半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁的同时， 会以光子的形式释放多 余的能量，这称为辐射跃迁，辐射跃迁的过程也就是半导体材料的发光过程。 电子由高能态向低能态跃迁的同时， 产生相应能量间隔的光子。 电子的跃迁， 要求价带有价带电子， 同时导带有相应的空穴， 即在导带、 价带中存在电子空穴 对，通过电子空穴的复合，半导体可以发射光子。 3、光电探测原理 将光辐射的作用， 视为所含光子与物质内部电子的直接作用， 也就是物质内部电 子在光子的作用下，产生激发而使物质的电学特性发生变化。 4、pn 结形成空间耗电区的原理 形成 PN 结后，由于 n 区和 p 区载流子浓度的差异， n 区的多数载流子电子、 p 区的多数载流子空穴分别向对方区域扩散并与其多数载流子复合。 这就造成 PN 结 n 区一侧附近电子浓度降低， 留下不能移动的施主离子， 产生局部的正电荷区 域。 PN 结 p 区一侧的附近空穴浓度降低，留下不能移动的受主离子，产生局部 的负电荷区域。由于局部正负电荷的存在， PN 结附近会产生一个由 n 区指向 p 区的内建电场。 电场阻碍 n 区的电子继续向 p 区扩散，同时使 n 区的少数载流子 空穴向 p 区漂移， 同样，电场阻碍 p 区的空穴继续向 n 区扩散， 同时使 p 区的少 数载流子电子向 n 区漂移。随着扩散的减弱， 飘移的增强， 最终实现载流子的动 态平衡。 PN 结附近载流子被耗尽的区域称为空间电荷区，或者耗尽区。 5、直接带隙半导体和间接带隙半导体的区别 直接带隙： 导带的最低位置位于价带最高位置的正上方；电子空隙复合伴随光 子的发射。 III-V 族元素的合金，典型的如 GaAs 等。 间接带隙： 导带的最低位置不位于价带最高位置的正上方； 电子空隙复合需要声 子的参与，声子振动导致热能，降低了发光量子效率。 6、半导体发光材料特性 砷化镓 (GaAs)：直接跃迁型 闪锌矿结构 发射的光子能量 1.42eV 左右，相应 波长 873nm 附近，红外波段 磷化镓 (GaP)：间接跃迁型 闪锌矿结构 间接带隙宽度 2.26eV，离子性为 0.374， 氮化镓 (GaN)：直接跃迁型 纤锌矿结构 带隙宽度 3.39eV 7、什么是发光二极管 发光二极管是由数层很薄的搀杂半导体材料制成， 一层带过量的电子， 另一层因 缺乏电子而形成带正电的“空穴” ，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释 放出能量，从而辐射出光芒。 - 2 - （6） 8、半导体激光器的阈值条件 m 1 J gL L ln(1/ R R ) 1 2 2 9、激光器的构成， (1).工作物质 (2).激励源