(精选)专用集成电路设计基础教程(来新泉 西电版)第3章 器件的物理基础及其SPICE模型课件.ppt

;　　　　　　　3.1 PN结　　PN结是半导体器件的最基本的结构要素，将PN结适当组合可制成晶体管、可控硅管和其他集成电路器件。本节主要介绍PN结的基本结构、工作过程及其重要特性。;3.1.1 PN结的形成　　应用半导体制造工艺把一块半导体加工成一半N型半导体、一半P型半导体时，二者的界面两边将产生很大的载流子浓度差。因为P型区内空穴载流子浓度高，N型区内自由电子浓度高，所以界面处载流子由浓度高处向浓度低处扩散，结果在P型半导体和N型半导体交界面上形成一个特殊的薄层，即PN结，所形成的电场称为PN结电场。由于PN结内的电子与空穴中和而无载流子，因此PN结又叫“耗尽层”，如图3-1所示。;;3.1.2 PN结的理想伏安特性　　在理想PN结模型下，可得到理想PN结伏安特性表达式：;　　IS称为PN结反向饱和电流；　　np0和pn0分别为P区和N区平衡时的少子电子浓度和少子空穴浓度；　　Ln和Lp分别称为电子和空穴的扩散长度，其值分别为其中, Dn和Dp分别是电子和空穴的扩散系数；τn和τp分别是电子和空穴的寿命。　　式(3-1)定量表示了流过PN结的电流I与加在PN结上的电压U(P区相对于N区的电压)之间的关系。;3.1.3 PN结的单向导电性　　1. 外加正向电压, PN结导通　　在PN结两端加正向电压，即P区接电源正极，N区接电