CMOSAnalogChap10Hspice使用.ppt

邹志革 VLSI， HUST * 针对该图进行参数的提取 这里我们通过解析的方法近似求得： 在第四条曲线上取两点，(2.00V, 4.53E-4A)和(2.6V, 4.60E-4A) 令y=0可以求得x=-41.7V 如果要求得较为准确的值，可以在每条曲线上取两点列解析方程，求出不同的VM 然后求出平均值。 故可以求得： =0.02 =41.7V， 从而我们可以得到 通过两点拟合出的方程为 4： 的提取 邹志革 VLSI， HUST * 针对该图进行参数的提取 5： 的求取 可以求得在ID=1.0e-4A时， = 由公式 Thanks！ * 邹志革 VLSI， HUST * MOSFET 模型语法 MOSFET 元件语法 Mxxx nd ng ns nb mname L=val + W=val AD=val AS=val + PD=val PS=val NRD=val + NRS=val + OFF IC=vds，vgs，vbs M=val + TEMP=val GEO=val DELVTO=val 邹志革 VLSI， HUST * MOSFET 元件语法举例: M1 24 2 0 20 MN L=5u W=100u M=4 M2 1 2 3 4 MN 5u 100u M3 4 5 6 8 N L=2u W=10u AS=100P + AD=100p PS=40u PD=40u .OPTIONS SCALE=1e-6 M1 24 2 0 20 MODN L=5 W=100 M=4 邹志革 VLSI， HUST * MOSFET 模型声明语句 .MODEL MODP PMOS LEVEL=2 VTO=-0.7 + GAMMA=1.0 .MODEL NCH NMOS LEVEL=39 TOX=2e-2 UO=600 邹志革 VLSI， HUST * * 库工艺角模型 .LIB TT or (FF|SS|FS|SF) .param toxn=0.0141 toxp=0.0148 .lib ‘~/simulation/model/cmos.l’ MOS .ENDL TT or (FF|SS|FS|SF) .LIB MOS .MODEL NMOD NMOS (LEVEL=49 + TOXM=toxn LD=3.4e-8 ， ) .ENDL MOS 邹志革 VLSI， HUST * 模拟集成电路仿真工具——Hspice 1. SPICE 概览 2. 仿真输入与控制 3. 源和激励 4. 分析类型 5. 仿真输出与控制 6. 元件与器件模型 7. 优化 8. 控制选项与收敛 9. 图形工具 10. 应用示范 邹志革 VLSI， HUST * Hspice用户界面 邹志革 VLSI， HUST * 波形工具AvanWaves 邹志革 VLSI， HUST * Zou Zhige EST-ICC * 查看仿真结果 双击 .options post probe .probe v(a) v(b) v(out) title 邹志革 VLSI， HUST * 分析仿真结果 点击右键 多信号波形显示在overlay和stacked两种模式间切换，目前为stacked，将切换为overlay 由波形可知实现了与门的功能 缩放 邹志革 VLSI， HUST * 分析仿真结果 加指针可以显示时间、电压等，可用来测量与门输出的tr， tf， td等指标 邹志革 VLSI， HUST * 一个简单例子——看NMOS管IV特性 邹志革 VLSI， HUST * 网表 * Project of NMOS Characteristics M1 2 1 0 0 MN W=5U L= 2U M=1 *M？ D G S B Model W L M VGS 1 0 1V VDS 2 0 5V .OP .lib D:\*.LIB MOS_TT .DC VDS 0 5 0.1 VGS 1 5 1 .PRINT DC V(2) I(M1) .OPTION .END 邹志革 VLSI， HUST * 仿真结果 邹志革 VLSI， HUST * 第二个例子：两级运算放大器设计 * Target specification : * CL = 10pF， Av5000， * GB=5MHz * 1 CMR 4 ， 0.5 Vout 4.5 * SR 10 V/us ， Pdiss 2 mW ， 邹志革 VLSI， HUST * 网表 *Two stage OP design * Netlist information M1 3 IN1 5 0 MN L=2UM W=9.9UM