晶闸管的工作理与应用.ppt

模块一 调光灯 1.1.1 晶闸管及其工作原理 1.1.2 晶闸管的特性与主要参数 1.1.3 晶闸管的派生器件 1.1 、晶闸管 晶闸管(Thyristor)包括：普通晶闸管(SCR)、快速晶闸管(FST)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT) 、可关断晶闸管(GTO) 和光控晶闸管等。 普通晶闸管：也称可控硅整流管(Silicon Controlled Rectifier), 简称SCR。 由于它电流容量大,电压耐量高以及开通的可控性(目前生产水平：4500A/8000V)已被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域, 成为特大功率低频(200Hz以下)装置中的主要器件。 1.1.1 晶闸管及其工作原理 2、晶闸管的工作原理 1.3.2 晶闸管的特性与主要参数 定义：晶闸管阳极与阴极之间的电压Ua与阳极电流Ia的关系曲线称为晶闸管的伏安特性。 第一象限是正向特性、第三象限是反向特性。 图1.3.4 晶闸管阳极伏安特性 2. 晶闸管的开关特性 3. 晶闸管的主要特性参数 1）正向重复峰值电压UDRM : 2）反向重复峰值电压URRM : 3）晶闸管铭牌标注的额定电压通常取UDRM与URRM中的最小值, 选用时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2～3倍。 （2）晶闸管的额定通态平均电流─额定电流IT(AV) 在选用晶闸管额定电流时，根据实际最大的电流计算后至少还要乘以1.5～2的安全系数，使其有一定的电流裕量。 2） IT(AV)计算方法： （3）门极触发电流IGT和门极触发电压UGT 在室温下，晶闸管加6V正向阳极电压时，使元件完全导通所必须的最小门极电流，称为门极触发电流IGT。对应于门极触发电流的门极电压称为门极触发电压UGT。 （5）维持电流ＩＨ 和掣住电流ＩL 1）维持电流ＩＨ： 在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流ＩH 。 2）掣住电流ＩL ： 给晶闸管门极加上触发电压，当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需要的最小阳极电流称掣住电流ＩL。 1.3.3 晶闸管的派生器件 可允许开关频率在400HZ以上工作的晶闸管称为快速晶闸管(Fast Switching Thyristor，简称FST)，开关频率在10KHZ 以上的称为高频晶闸管。 快速晶闸管为了提高开关速度，其硅片厚度做得比普通晶闸管薄，因此承受正反向阻断重复峰值电压较低，一般在2000V以下。 有两个主电极T1和T2，一个门极G。 正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性。 1.4 可关断晶闸管 可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor)简称GTO。 它具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高，电流大等。同时它又是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电流触发下关断。 PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极 2、可关断晶闸管的工作原理 1）GTO的导通机理与SCR是相同的。 2）在关断机理上与SCR是不同的。门极加负脉冲即从门极抽出电流(即抽取饱和导通时储存的大量载流子)，强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 1.5、 电力晶体管 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管）耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效. 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 深饱和区：类似于开关的通态。 1.6 电力场效应晶体管 1.7 、绝缘栅双极型晶体管 IGBT：绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 。 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降特性两者优点的一种复合器件。 IGBT于1982年开始研制，1986年投产，是发展最快而且很有前途的一种混合型器件。 目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。 在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场。 （1）IGBT的伏安特性（如图a) 反映在一定的栅极一发射极电压UGE下器件的输出端电压U