位移效应对量子点激光器的性能影响-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 9 (2013) 094219 位移效应对量子点激光器的性能影响 † 车驰 柳青峰 马晶 周彦平 ( 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防重点实验室, 哈尔滨 150001 ) ( 2012 年10 月23 日收到; 2012 年11 月27 日收到修改稿) 从理论上分析了位移效应对量子点激光器的影响, 并推导了量子点激光器阈值电流相对变化、输出功率相对 变化的位移损伤公式. 对量子点激光器进行了中子辐照实验, 观察到了阈值电流的增加. 结合实验结果确定了量子 点载流子非辐射复合速率的损伤因子的表达式, 公式计算结果与实验结果符合较好, 证明了模型的正确性. 得到的 公式可用于预测量子点激光器在辐射环境下的性能变化, 有着较大实际应用价值. 关键词: 量子点激光器, 位移损伤, 缺陷 PACS: 42.88.+h, 61.80.Az, 42.55.Px DOI: 10.7498/aps.62.094219 种类以及靶材料的种类. 相对于传统的MOS 器件 1 引言 而言, 由于没有氧化层, 电离总剂量效应对半导体 2 激光器的损伤很小 , 半导体激光器首要的损伤模 量子点激光器是一种近些年发展而来的一种 式为位移损伤效应. 的新兴结构, 其载流子三维受限的特殊结构带来了 为了评估辐射环境下激光器性能的变化, 必须 多种特性. 其相对于传统的量子点激光器具有更低 通过实验对其进行研究. 空间在轨实验费用高、周 的阈值电流、更高的增益以及更高的调制带宽, 而 期长、难度大, 一般在地面实验室环境使用辐射源 更重要的是其温度稳定性很好, 适用于温度变化剧 对器件的辐射效应进行模拟. 虽然有报道指出载流 烈的空间环境, 在卫星光通信系统中有着很大的应 子三维受限特性的影响下, 量子点激光器的辐射损 12 用前景 . 伤抗性被大大增强, 但是并没有对其进行深入的研 但是工作在空间环境下的卫星激光通信系统 究并建立起相关模型. 面临着空间粒子辐射的影响, 这将造成激光器性能 而且为了使辐照粒子穿透器件、在其中均匀 的下降, 影响系统的稳定性及工作寿命 3−5 . 一般 产生缺陷则要求粒子要有足够高的能量. 因此本文 来讲, 辐射粒子与半导体材料有两种作用方式, 一 使用反应堆中子对InAs/GaAs 量子点激光器进行 种是电离效应: 即入射粒子引起靶材料电子的电离 了辐照实验, 并从理论上分析了位移损伤对激光器 或激发, 对材料产生瞬时的扰乱或半永久性的影响, 输出功率和阈值电流的影响. 如激光器输出功率的瞬时增加; 另一种是位移效应: 及入射粒子通过库伦效应或碰撞将能量传递给靶 2 量子点激光器的位移损伤分析 原子, 当其得到能量足够大时, 靶原子将会离开原 有晶格位置而形成缺陷, 称为位移损伤. 这样形成 为了研究量子点激光器在辐射环境下的性能 的缺陷可能是空位、填隙原子, 也可能是其二者的 变化, 需要建立描述激光器中各能级结构的载流子 组合. 而当入射粒子质量较大或能量较大时, 甚至 密度及光子密度变化的速