功率器件应用指南.pdfVIP

力 子事业部 功率器件应用指南 述： 本指南的目的是对数据手册中有关器件的测试条件、测试依据等作进一步的解释 和补充。在这里我们将用一个具体的例子来对器件参数的意义和额定值作进一步的说 明和解释。具体地我们将以KP 2500-36相控晶闸管为例进行说明和解释。 B 所有提供的数据能够完全满足晶闸管在-40℃～ 25℃的运行温度范围。 KP 2500-36 相控晶闸管这样参数如下： B 通常当我们看到一种器件的这些关键特性参数时，我们可以从这些参数上大致的 估计出器件的电流通过能力和电压水平。同样地，我们也可以从数据手册上查到这些 参数，甚至更多更详细的信息。应当特别注意的是，我们所列出的器件的任何参数都 是在一定的条件下获得的，如：I = 41000A @ Tc = 125℃，t = 10 ms，V = 0。 TSM p R 因为在不同的条件下，器件可以获得不同的特性参数。如图3 －1 所示。 - 1 - 力 子事业部 株洲电力机车研究所电力电子事业部集数十年器件制造和应用经验，不断改进， 不断创新，根据不同应用领域的特点，使其产品满足各种应用需要。为此我们对器件 的主要特点进行介绍： l 全压接硅芯片技术； l 传动、能源和工业应用领域； l 优秀的功率转换能力； l 叉指状放大门极。 全压接硅芯片技术 全压接硅芯片技术的基础是其硅晶片不是 接键合在钼片 ，而是使其硅芯片和 钼片在外部压力的作用下封装在管壳的内部，与高温键合芯片技术相比，全压接硅芯 片技术使用户的成 —— 效率具有更大的优越性，并且可使工艺的变化和参数的波 动保持在很小的范围内，这样的话可使得器件的静态和动态特性得到优化。 传动、能源和工业应用领域 因为 面的每一种应用均有其对半导体器件的特殊要求，TEG数十年内已提供了 许多的器件到这些领域应用，这使得TEG 在满足客户的需求方面获得了独特的经验， 其失效率特别低。 - 2 - 力 子事业部 优化功能转换能力 面已经谈到，TEG获得了许多满足用户需要的独特经验，因此在我们的设计中 特别注意作为工程应用时在静态和动态参数之间取得满意的优化组合，尤其像工作在 较高频率的特殊应用情况时。 叉指状放大门极 放大门极允许用一个小的外部门极电流去触发最大的晶闸管，这样可允许用户用 基本相同的门极单元去触发TEG 的相控晶闸管。相对简单中心门极结构而言，叉指门 极结构是门极分布在整个的晶闸管阴极面 ，这样就可使得器件在开通期间加速导通 区域的扩展，这样的门极结构可使开通损耗明显减小并允许器件承受较高的di/dt。 晶闸管通常在高电压、大电流工况下运行，下面是晶闸管在运行过程中可能出现 的阳极电压和电流波形。 从图 3 －2 我们可看出，为了晶闸管安全运行，必须满足： V V ；V V ；V V ；V V DS DSM RS RSM DR DRS RR RRM ·V ；V DSM RSM 这里V 和V 表示在正向和 向最大的浪涌电压，也即这些电压的额定值代表晶 DSM RSM - 3 - 力 子事业部 闸管能承受宽度t = 10ms或者少于10ms的不重复瞬