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第三章 内存储器 1．半导体存储器：只读存储器 ROM、随机存储器 RAM（包括静态 SRAM、动态 DRAM）、闪存 Flash Memory。 2．内存的发展：微机使用的各种内存条，包括 FP、EDO、SDRAM、DDR、RDRAM、DDR Ⅱ、DDR 3、QBM 。 3．半导体存储器相关指标：存储元、存储单元、存储体、存储单元地址、存储容量的定义，存储芯片的组成。 4．存储子系统：PC / XT 和 Pentium 存储子系统。 本 章 学 习 目 标 内存储器是位于主板上的半导体存储器，包括只读存储器 ROM、随机存储器 RAM 和高速缓存 Cache。 1．存储器的组成及功能：微机系统中内部存储器，包括半导体存储器 ROM、RAM 以及闪存 Flash Memory 的组成及功能。 2．存储器性能参数：半导体存储器相关技术指标及实现技术。新型 RAM 技术，包括 DDR、DDR Ⅱ、DDR 3、RDRAM 和 QBM 技术。 3．16 位和 32 位存储子系统：存储地址空间的硬件组织方式、系统总线与内部存储器的连接方式、片选信号的产生和译码方式、奇偶校验方式和等待状态产生方法等与之相关的存储器接口技术。 通过本章的学习，应对存储系统有一定的了解，掌握存储系统的结构形式、工作方式，包括存储元、存储体和存储器的结构形式和工作方式，以及存储器相关信号的作用和产生方法。 3．1 半导体存储器 3．1．1 只读存储器 ROM 只读存储器 ROM（Read Only Memory）用于存放系统固化程序，如主板 BIOS、硬盘控制程序、打印机控制程序、汉字打印字库、网卡引导程序等，以及某些用户自行设计的控制程序。ROM 中的信息可通过外部写入器写入，或通过程序刷新方式写入。 ROM 系统由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器组成。 3．1．1 只读存储器 ROM 1．ROM （Read Only Memory） 通过掩膜工艺、双极工艺或 MOS 工艺实现数据编程，用于存放主板 BIOS 或微程序，生产厂家在芯片生产时对芯片实行一次性编程。 3．1．1 只读存储器 ROM 3．EPROM（Erasable Programmable ROM） 可擦除可编程只读存储器，型号为 2716（16Kb / 2KB）~ 27010（1Mb / 128KB）。芯片顶端中间有一个石英玻璃窗口，用紫外线照射 3 ~ 5 分钟可擦除信息，在专用 EPROM 编程器上可写入信息。 3．1．1 只读存储器 ROM 读出时 ,VCC 端接 + 5 V，字线为高选通后，若浮置栅上有电荷，则 MOS 管导通，位线上输出信息 “0”；若浮置栅上无电荷，则 MOS 管截止，位线上输出信息 “1”。 浮置栅上的电荷在特殊紫外线的照射下，电荷被激发形成光电流泄放，使 NMOS 管截止，存储元恢复为原始状态。 ⑵ EPROM 引脚配置和工作方式 芯片管脚除地址、数据、电源引脚外主要有 （片选）、 （数据输出允许）、 （编程控制）和 Vpp（编程电源）四个信号。 EPROM 有五种工作方式，但重要的有以下三种： 读： 、 为低， 为高，Vpp 为 +5V。将对应单元内容读出。 待机： 为高、Vpp为 +5V, 、 任意，数据输出为高阻，这种状态下功耗仅为最大功耗的 1 / 4。主要为降低功耗而设置。 3．1．1 只读存储器 ROM 编程： 、 为低、 为高、Vpp 为 +12V 或 +25V，数据线上为写入信号。 4．EEPROM（Electric Erasable Programme ROM） 电可擦除可编程只读存储器，型号为 2816 ~ 28010。可在线擦除和写入，芯片管脚的定义与EPROM相似，仅将EPROM的Vpp改为 , 改为 。EEPROM 工作方式主要有以下三种： 读： 、 为低， 为高，将地址对应单元读出。 待机： 为高，数据输出为高阻，主要为降低功耗而设置。 字节编程： 、 为低， 为高，数据线上为写入信号。 5．闪存 Flash memory 本质上属于 EEPROM，可在线擦除和重写。与 EEPROM 的主要区别在于存储单元的结构和工艺。闪存存储容量 1 ~ 2Mb（128KB ~ 256KB），易于在线刷新，目前已基本取代了前几种产品。 3．1．2 静态读 / 写存储器 SRAM 1，基本存储电路 基本存储电路为半导体双稳态触发器，可采用 N 沟道 金属氧化物半导体 NMOS、P 沟道金