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第5 章闪存编程 目录 本章包括下列主题： 5.1 简介 5-2 5.2 表指令操作 5-2 5.3 控制寄存器 5-5 5.4 运行时自编程（RTSP） 5-8 5.5 设计技巧 5-14 5.6 相关应用笔记 5-15 5.7 版本历史 5-16 5 闪 存 编 程 © 2009 Microchip Technology Inc. DS70191B_CN 第5-1 页 dsPIC33F 系列参考手册 5.1 简介 本章介绍闪存程序存储器的编程技术。dsPIC33F 系列器件包含用于执行用户代码的内部可编程 闪存。可使用两种方法对该存储器进行编程： • 运行时自编程（Run-Time Self-Programming，RTSP） • 在线串行编程（In-Circuit Serial Programming，ICSP） 本章将介绍RTSP 编程，这是由用户软件执行的。 ICSP 是通过使用器件的串行数据连接执行的，编程比RTSP 快得多。《dsPIC33F/PIC24H 闪存 编程规范》（DS70152C_CN）中定义了ICSP 协议，该文档可从Microchip 网站下载。 5.2 表指令操作 表指令提供了一种在dsPIC33F 器件的程序存储空间和数据存储空间之间传送数据的方法。本节 提供了闪存程序存储器编程期间使用的表指令的汇总。有4 条基本的表指令： • TBLRDL：表读低位字 • TBLRDH：表读高位字 • TBLWTL：表写低位字 • TBLWTH：表写高位字 TBLRDL 指令用于读取程序存储空间的 bit 15:0。TBLWTL 指令用于写入程序存储空间的 bit 15:0。TBLRDL 和TBLWTL 能以字或字节模式访问程序存储器。 TBLRDH 和TBLWTH 指令用于读或写程序存储空间