模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案.docVIP

1半导体二极管 自我检测题 选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 ，掺入杂质后称 。若掺入五价杂质，其多数载流子是 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度 电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度电子浓度。（A．大于，B．小于，C．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度与关系十分密切。（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度） 4. 当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层 ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 （A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变 ） 5．二极管实际就是一个PN结，PN结具有，即处于正向偏置时，处于 状态；反向偏置时，处于 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_ ，反向电流一般__；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为__，反向电流一般__。（A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于，D．大于） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压反向击穿电压反向电流温度T125℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN结的特性方程是。普通二极管工作在特性曲线的 ；稳压管工作在特性曲线的 。 判断题（正确的在括号内画√，错误的画×） 1．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（ ） 2．在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（ ） 3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 4．PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） 5．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ） 6．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（ ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（ ），它不允许工作在正向导通状态（）。 习题 1.1图题1.1各电路中，，忽略D的导通压降，画出各电路相应的输出电压波形。 图题1.1 （b）图中，二极管导通，vo= vi +10。 （c）图中，二极管截止，vo=0。 1.2求图题1.2ID和A点对地电压VA。设二极管的正向导通电压为0.7V。 图题1.2 a） （b） 得 1.33电路如图题1.所示，已知D1为锗二极管，其死区电压Vth＝0.2V，正向导通压降为0.3V；D2为硅二极管，其死区电压为Vth＝0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过D1、D2的电流I1和I2。 图题1.D1的死区电压小于D2的死区电压，应该D1先导通。设D1通、D2截止，此时 D2两端电压＝I1×100＋0.3＝0.45V 小于D2的开启电压，所以D2截止，因此 I2＝0 1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10(A，反向击穿电压为 30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题1.中各电路的电流I。 图题1.a）图中，两个二极管导通， （b）图中，由于D2反向截止，所以电流为反向饱和电流10(A （c）图中，D2反向击穿，保持击穿电压30V，所以 （d）图中，D1导通， 1.5试确定图题1.（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压V1和V2的值（设二极管正向导通电压为 0.7V） 图题1.a）图中，D导通， V1＝0.7+V2=8.23V （b）D截止，I=0，V1＝12V， V2＝0V 1.6忽略图题1.中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。 图题1.D断开，计算A、B点对地电压 （a） ，所以D1导通 （b） ，所以D2截止 1.7设图题1.中二极管的导通压降为 0.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出Vo的值。 图题1. 所以， D2先导通，导通后 VO＝3-0.7=2.3V， D1截止。 （b）图中， 所以，D2(D4先导通，则，D1截止， VO＝－1.4V 1.8设图题1.中二极管的导通压降为0.7V，求二极管上流过的电流ID的值。  图题1.解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效 所以 1.9已知图题1.电路中稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和9V，求电压VO的值。 图题1.DZ1 、DZ2均工作于稳压状态， （b）DZ1工作于稳压状态，DZ2工作于反向截止区，所以DZ2支路的电流近似为零， 1.10已知图题1.