春电力电子技术试题A.docVIP

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春电力电子技术试题A

本题得分 (注:卷面80分,平时成绩20分) 一、填空题(11 小题,每空0.5分,共 22 分) 1、电力电子学是由???????????? ??? 、?????????? ?????和?????????? ????交叉而形成的边缘学科。 2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类; 1) 的电力电子器件被称为半控型器件,这类器件主要是指 及其大部分派生器件。 2) 的电力电子器件被称为全控型器件,这类器件品种很多,目前常用的有 和 。 3) 的电力电子器件被称为不可控器件,如 。 3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义,在空格处填写该参数的名称。 参数定义 参数名称 GTR集电极电流与基极电流之比 使IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压 维持晶闸管导通所必需的最小阳极电流 4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,在中小功率领域应用最为广泛的是___________。 5、电力电子器件的驱动电路一般应具有 电路与 之间的电气隔离环节,一般采用光隔离,例如 ;或磁隔离,例如 。 6、缓冲电路又称为吸收电路,缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。其中 缓冲电路又称为du/dt抑制电路,用于吸收器件的 过电压。 缓冲电路又称为di/dt抑制电路,用于抑制器件 时的电流过冲和di/dt,减小器件的损耗。 7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路,当负载分别为电阻负载和电感负载时,晶闸管的控制角移相范围分别是多少(用角度表示,如0°~180°)? 负载 单相半波 单相桥式 三相半波 三相桥式 电阻 ? ? ? ? 阻感 (注:有续流二极管) ? ? ? 8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中,当控制角α大于停止导电角δ时,晶闸管的导通角θ=_____________。当控制角α小于停止导电角δ时,且采用宽脉冲触发,则晶闸管的导通角θ=_____________。 9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多,因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。换流方式可分以下四种:???????????? , , ??????????????????????????,?????????????????????? 。 10、正弦脉宽调制(SPWM)技术运用于电压型逆变电路中,改变??????????????????? ?_可改变逆变器输出电压幅值;改变???? _??? ?????? _可改变逆变器输出电压频率;改变_??????????????? _可改变开关管的工作频率。 11、在SPWM控制电路中,根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制可分为?????????? 与_______ _两种类型,采用_______ _调制可以综合二者的优点。 本题得分 二、选择题(5 小题,每空0.5分,共3分) 1、??晶闸管稳定导通的条件(??? ) A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流?? B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流?? D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压700V,则该晶闸管的额定电压是(?? ) A??? 500V???????? B? 600V???????? C? 700V?????? D1200V 3、(??? )存在二次击穿问题。 A. SCR?? B. GTO?? C. GTR?? D. P.MOSFET?? E. IGBT 4、下图所示的是(????? )的理想驱动信号波形。 A. SCR?? B. GTO?? C. GTR?? D. P.MOSFET?? E. IGBT ? 5、IGBT综合了(? )和( )的优点,因而具有良好的特性。 A. SCR?? B. GTO?? C. GTR?? D. P

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