[信息与通信]半导体器件第一章.ppt

序言 1.课程体系： 《半导体物理》 《半导体器件物理基础》 《集成电路原理》＋《VLSI设计方法学》 《半导体器件工艺 》 2. 课程的内容 3.什么是半导体器件？ 设备 单晶硅 晶圆 晶圆指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆 晶圆局部 电子显微镜下的器件 封装（芯片） 封装（器件） 第一章 半导体基本知识 本章作用和内容： 对《半导体物理》的回顾 半导体能带、载流子浓度、输运现象和光学性质 1.1半导体材料和载流子模型 几个概念: a)晶体：具有一定的外形，固定的熔点，存在长程有序（组成晶体的原子（或离子）在微米量级的较大范围内都是按一定方式规则排列而成的）。分为单晶和多晶。 b)非晶体：没有规则外形和固定熔点，内部结构不存在长程有序，只存在短程有序（在若干原子间距的小范围内存在结构上的有序排列）。 c)单晶：整个晶体主要由原子（或离子）的一种规则排列方式所贯穿。周期性结构 d)多晶：很多小晶粒杂乱堆积而成。(取向，形状和大小不同） 用途 1.1.1 半导体晶格 晶格：晶体是由晶胞周期性重复排列构成，像网格一样。 格点：组成晶体的原子（或离子）的重心位置称为格点。格点的总体称为点阵。 元胞：最小周期重复单元 晶体学单胞：最大限度反映晶格对称性质的最小单元。 单晶格：实际晶格本身和它的布拉维格子完全相同。每一个元胞只有一个原子，所有原子都等价。 布拉维格子：体现晶格周期性的格子，它的每一个格点对应一个元胞 金刚石和闪锌矿结构 金刚石结构：两个面心立方子晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度构成。 晶向和晶面的标志 1.晶列：通过任意两格点做一条直线，通过其他格点可以做出很多条与它彼此平行的直线，晶体所有格点全部都位于这一系列相互平行的直线系上。 晶向和晶面是指符合晶格的平移对称性而完全等价的一簇平行直线和平面。 (4)晶向：晶列的取向。 晶列指数：通过 化为互质整数，hkl就称为晶列指数 晶面族：所有格点可看成全部位于一系列相互平行的平面系上。 米勒指数:晶面与晶轴的截距a/h,b/k,c/l的倒数的互质整数h,k,l称为米勒指数。 即 记做 注意： 如果晶面与坐标轴的截距是负数，则在这个数上面加负号表示负截距。 由于旋转对称性，某些非平行的平面按旋转对称性可能是等价的。用花括号表示。 在立方晶系中，晶向和晶面互相垂直时，晶向指数和米勒指数相同。 同类型晶面 例如 表示 晶列指数和晶面指数相同的晶向和晶面之间互相垂直。 价键模型 空穴的定义：虚拟粒子，带正电，在外场作用下运动方向与电子相反。 1.1.2 半导体能带 1.能带、电子和空穴 (1)孤立原子的电子 (2)电子的共有化运动 (3)能带（图1.1) (4)施主与受主 (5)禁带宽度与温度关系 2.有效质量近似 (1)自由电子的波函数  （5）E-k关系 在最小能量附近级数展开 4.布里渊区 布里渊区： 矢量形成的空间叫做布里渊区 图1.7 5.多能谷半导体 硅 GaAs 价带顶位于布里渊区中心k＝0处，并且价带是简并的。由于能带简并，分别具有有效质量不同的两种空穴，有效质量较大的(mp)h称为重空穴，有效质量较小的(mp)l称为轻空穴。另外由于自旋-轨道耦合作用，还给出了第三种空穴有效质量(mp)3。 直接能隙结构与间接能隙结构 图1.5 3.态密度： 定义：导带和价带是准连续的，定义单位能量间隔内的量子态数为状态密度 具有动量 的电子代表中心为k的小范围 的布洛赫波组成的量子波包。 三维条件下，计入电子的自旋： K空间球半径 球体积 球内的量子态数 当E增加到E+dE间隔内的量子态总数 能态密度分布函数 对于椭球对称能谷 电子的态密度有效质量为 存在s个等价能谷时 GaAs： Si和Ge： 1.1.2载流子平衡浓度1.费米分布函数 费米分布函数：能级为E的电子状态被电子占据的几率 玻尔兹曼函数 2.载流子浓度 计算方法： 同理，价带中空穴的浓度可表示为 简并和非简并半导体 简并和非简并半导体 非简并：费米能级EF位于禁带内并且至能带边的距离大于若干个kBT. 简并：EF进入导带或者价带 结论 平衡态非简并半导体np积与EF无关。 一定温度下，材料不同np积也不相同。 本征载流子浓度ni随温度的升高显著增大。 平衡态非简并半导体不论掺杂与否，上式都是适用的。 适用于无杂质原子间相互作用的非简并半导体。 重掺杂时，杂质能级分裂展开成为能带，与导带和价带交叠，引起禁带宽度降低。 引起双极晶体管电流增益减小，漏电流增大 4.本征