[其它]电子技术基础模拟部分第五版第3章半导体三极管及放大电路基础.ppt

第三章 半导体三极管及放大电路基础 3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应 3.1 半导体BJT 半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管，也叫晶体管。 二是场效应半导体三极管，也叫单极型三极管。 半导体三极管图片 半导体三极管图片 1.结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。 图 两种极性的双极型三极管 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 2.BJT的三种连接方式—— 三种组态 放大器是四端网络。BJT有三个电极，组成放大器时，需有一个极作输入、输出的公共端。据公共端的不同，对交流信号而言，有以下三种连接方式，也称三种组态，如图。 3.放大原理和电流关系 若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 1）e 区向b 区发射自由电子形成电子电流IE 由于射结正偏，射区多子（-e）不断向基区扩散形成IE，同时基区多子向射区扩散，但浓度低（少几百倍），故空穴电流与电子电流比可略。 2）电子在b区的扩散和复合过程形成电流IB 3）电子被c区收集的过程形成电流IC 综上所述，根据结点电流定律，有 IE =IC+IB BJT一旦制成，从e 区发射的电子到达c区的比例就固定了。此比例称电流放大倍数，通常定义 ?、?是同一管子不同电极之间的关系。 IC= ?IE= ?（IC+IB） 二、 BJT的特性曲线characteristics 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图所示。 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增 加时，曲线右移很不明 显。曲线的右移是三极 管内部反馈所致，右移 不明显说明内部反馈很 小。输入特性曲线的分 区：①死区 ②非线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 ③线性区 (2)输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时， 发射结虽处于正向电压 之下，但集电结反偏电 压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由vCE决定。 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V vBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。（动画5-2-2）