p型ZnON薄膜的拉曼及光电特性研究.PDFVIP

p型型ZnO:N 薄薄膜膜的的拉拉曼曼及及光光电电特特性性研研究究 李万俊, 孔春阳, 秦国平, 阮海波, 杨天勇, 孟祥丹, 永红, 梁薇薇 and 方亮 Citation: 中国科学: 物理学 力学 天文学 42, 819 (2012 ); doi: 10.1360/132012-47 View online: http://en /doi/10.1360/132012-47 View Table of Contents:http://en /publisher/scp/journal/SSPMA/42/8 Published by the 《中国科学》杂志社 Articles you may be interested in 中国科学: 物理学 力学 天文学 2012 年 第42 卷 第8 期: 819–826 SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica Astronomica SCIENCE CHINA PRESS 论 文 p 型 ZnO:N 薄膜的拉曼及光电特性研究 ①②③ ①②* ①②③ ③ ①② ①② 李万俊 , 孔春阳 , 秦国平 , 阮海波 , 杨天勇 , 孟祥丹 , 赵永红①② ①② ③ , 梁薇薇 , 方亮 ①重庆市光电功能材料重点实验室, 重庆 401331; ② 重庆师范大学光学工程重点实验室, 重庆 401331; ③ 重庆大学物理学院, 重庆 401331 *联系人, E-mail: kchy@163.com 收稿日期: 2012-01-12; 接受日期: 2012-06-26; 网络出版日期: 2012-07-09 国家自然科学基金(批准号:和重庆市自然科学基金(编号: 2011BA4031)资助项目 摘要 采用电子束蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO 薄膜, 以N 离子注入的方式及后期退火处理实现 N 掺杂ZnO 薄膜. 借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO:N 薄膜的拉曼及光电特 性. 结果表明: 所有样品均呈现ZnO 纤锌矿结构, 在ZnO:N 薄膜拉曼光谱中发现与N 相关的振动模式(位 于272.5, 505.1 和643.6 cm1), 分析表明N 已掺入ZnO 薄膜中; 霍尔测试表明, 通过适当退火处理后, 17 3 2 1 1 ZnO:N 薄膜向p 型转变, 其空穴浓度为7.73×10 cm , 迁移率为3.46 cm V s , 电阻率为2.34  cm. 然而, 长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO:N 薄膜的p 型性能随时间并不稳定, 结合拉曼散射光谱和第一性 原理计算分析认为由于 p-ZnO:N 薄膜中存在残余压应力, 同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷 (N2)O 是p 型不稳定的根本原因. 关键词 拉曼光谱, p 型ZnO:N 薄膜, 稳定性, 第一性原理 PACS: 77.55.hf, 73.61.-r, 87.64.kp, 63.20.dk doi: 10.1360/132012-47 ZnO 是 II-VI 族直接宽禁带化合物半导体材料, 高质量的n 型ZnO 材料. 然而, 由于ZnO 的背景电 呈六方纤锌矿结构, 具有禁带宽度大(室温下为 3.37 子浓度较大(主要由 V 和 Zn 等本征施主缺陷产生),