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第四章 C纳米管 第二节 C纳米管的形貌与结构 * * 第1节 C纳米管的简介 C纳米管可看作是由类似石墨层卷曲成的无缝中空纳米级同轴圆柱体。 C纳米管两端大部分是封口的，少数是开口的，故分为闭口C纳米管和开口C纳米管。 按片层石墨层数分类, 可分为单壁C纳米管(SCNT)和多壁C纳米管(MCNT)。 每个单壁C纳米管由C原子六边形组成，长度一般为几十nm至μm级，两端由C原子的五边形封顶。单壁C纳米管可能存在三种类型的结构，分别称为椅形C纳米管、锯齿形C纳米管和手性C纳米管，如图4-1所示 图4-1 三类C纳米管图：(a)椅形C纳米管； (b)锯齿形C纳米管；(c)手性C纳米管 制备方法：电弧放电法、等离子体增强热丝化学气相淀积法(PE-HF-CVD)、催化热分解法、激光蒸发石墨棒法、等离子体法和电解法等 分析方法：扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、X-射线衍射(XRD)谱、X-射线光电子能谱(XPS)和拉曼(Raman)散射谱等技术研究C纳米管的形貌、结构、场发射特性和电学特性，阐述单壁C纳米管的电子结构。 图4-1 (a)生长在大面积多晶Ni衬底上的成排排列的C纳米管的SEM图像；(b) (a)的高放大率图像 Huang等人用等离子体增强热丝化学气相淀积(PE-HF-CVD)法在666℃以下在抛光多晶和单晶Ni衬底上生长出成排排列的多壁C纳米管。 很显然，C纳米管的的方向垂直于衬底表面，高度十分均匀。 一、C纳米管的SEM、HRSEM、TEM、HRTEM和AFM图像 图4-2 (A)在具有成排排列小孔的氧化硅衬底上形成的C纳米管低放大倍率SEM图像 (B)成排排列C纳米管高放大倍率SEM图像， Xie等人用碳氢化合物作反应气体的CVD方法在氧化硅衬底上制备出C纳米管阵列，在氧化硅衬底上制备出高密度、高纯度成排排列的C纳米管 大多数C纳米管近似垂直于衬底表面 图4-3 C纳米管薄膜的HRSEM图像：(a)由固定在基座上的金属岛表面生长的C纳米管 (b)面条形状的C纳米管 在一个管式淀积系统中,用微波(2.45GHz)等离子体CVD在催化剂金属Ni或Fe团簇(30-40nm)覆盖的Si衬底上生长出相纯C纳米管薄膜 图(a)表示C纳米管由金属团簇在不同方向生长；图(b)表示C纳米管排列成细面条结构。C纳米管均匀地生长在整个衬底上。 Papadopoulos等人在650℃下利用乙炔(C2H2)高温分解,在六角密堆积排列的纳米孔氧化铝模板孔内的Co上生长出高度有序的C纳米管阵列 图4-4 高度有序的C纳米管阵列：(a)周期C纳米管阵列的斜视SEM图像，左下方插图是一根C纳米管的放大图像，右下方插图是C纳米管直径的柱状图 (b)六角密堆积排列的C纳米管的俯视图，插图是典型开口C纳米管的特写图像 特点：1、互相平行，且垂直于氧化铝模板 2、长度均匀，末端是开口的 3、氧化铝模板的每一个纳米孔都被一根C纳米管填充，纳米孔限定了C纳米管的直径 4、整个阵列中C纳米管具有非常窄的直径分布 Thess等人用激光烧蚀C靶制备出大量的排列紧密的单壁C纳米管束 。 图4-5 一束C纳米管的HRTEM图像（白点位于单壁C纳米管的中心) 管束宽度均匀，由少量直径几乎一致的按照三角图案排列的单壁C纳米管组成。一个管束内C纳米管的典型数量在20个左右。 Journet等人以1% Y和4.2% Ni 的混合物作催化剂用电弧放电法制备出大量C纳米管 图4-6 在阴极周围环状淀积物的SEM图像，尺度棒为1μm 在相当大的面积上(至少几个mm2)均匀地分布着大量紊乱的C细丝。 二、C纳米管的XRD谱 单壁C纳米管的低角XRD谱：(a)用电弧放电法制备的单壁C纳米管；(b)用激光烧蚀C靶制备的单壁C纳米管；插图表示与Ni颗粒相联系的XRD谱 在扩散矢量Q=0.43附近有一个散射峰，直到Q=1.8有四个弱散射峰。这些低的散射峰表明组装成管束的单壁C纳米管二维晶格的存在。在Q=3.1和Q=3.6的散射峰，分别对应于纯面心立方Ni(111)和(200)的晶面反射。 两种样品的特征具有相似性,意味着这样的C纳米管有一种独特的生长机制，更多地依赖于在非平衡状态中凝聚动力学。 三、C纳米管的Raman谱 用514.5nm的光激发得到的单壁C纳米管室温Raman谱，在250-1200 cm-1频率范围内Raman强度放大了70倍 该Raman谱显示低频(140–200 cm-1) 、中频(300–1300 cm-1)和高频(1500– 1600 cm-1)三个主要频带，这正是单壁C纳米管的特征。 高频