新能源材料-顾浩研究报告.pptVIP

新能源材料;新能源概论 太阳能中新材料的运用 氢能中新材料的运用 新型高性能电池;一、新能源概论;2.1太阳能简介 太阳能利用途径：①热利用②光利用 太阳能优点：①取之不竭②分布广阔③对环境无污染 太阳能缺点：①强度弱②不连续性③不稳定性 ;2.2光电效应 光子：没有质量含有能量的微粒子 紫光子4eV 红光子1.7eV 电子：高电位流向低电位，高电位处有电能 光电效应：光子把能量传给物体中的电子，使电子跃至高电位，存储电能 2.3太阳能电池 典型太阳能电池本质上是大面积半导体二极管，太阳光照射到太阳能电池上，能量大于禁带宽度的光子能把价带中电子激发到导带上去形成自由电子，价带中留下带正电的自由空穴（电子-空穴对），即光生载流子;2.4制作太阳能电池的材料 晶硅电池、非晶硅电池、铜铟硒薄膜电池、碲化镉薄膜电池、砷化镓薄膜电池 2.4.1晶体硅太阳能电池 1、硅的物理性质 硅 ①无定形 ②晶体形 单晶硅、多晶硅 导电性：晶体中只有导带中的电子和价带顶部空穴才参与导电（能带理论） 晶体硅室温状态下电阻率为2.3x10^5 Ω·cm 杂质对半导体导电性能影响很大 四价硅单晶中掺入五价原子（P）为N型半导体 三价原子（B）为P型半导体 ;2、太阳能电池（晶体硅电池为主）技术发展 ①背表面场（BSF）电池：在电池背面接触区引入同型重掺杂区，使电池开路电压、短路电流和填充因子得到改进（斯坦福大学） ②紫光电池：起先为通讯卫星开发，结浅、密栅、减反射而获得高效率 ③表面织构化电池（绒面电池）：起先也为通讯卫星开发，电池效率大于18% ④异质结太阳能电池：不同半导体材料形成太阳能电池，SnO2/Si，In2O3/Si，ITO/Si。SnO2，In2O3，ITO（ SnO2+In2O3）带隙宽、透光性好、制作工艺简单，但效率不高，多用作薄膜电池的收集电流和窗口材料;3、单晶硅太阳能电池 ①高纯单晶硅棒（纯度99.999%），地面用的太阳能电池采用太阳能级单晶硅棒，材料性能指标放宽，成本降低 ②硅锭的投炉料（半???体工业次品硅及单晶硅的头尾料）经单晶炉的复拉，生产出太阳能级单晶硅 ③单晶硅的制备工艺; 生长单晶硅的方法直拉法和悬浮区熔法 直拉法（CZ）：直拉单晶炉内，控制热场，从装有熔硅的坩埚中，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，单晶按籽晶晶向长大。石英坩埚不可避免引入氧，氧沉淀物是复合中心，降低材料寿命。此法可生长出直径为12英寸及以上的单晶硅，直径6英寸的单晶硅太阳能电池已工业化生产。 悬浮区熔法（FZ）：将区熔提纯和制备单晶结合在一起，可生长出高纯无缺陷单晶。但采用内圆切割法可将单晶锭切成硅片，50%硅材料损耗，多线切割工艺，损耗降低至30%，降低成本;④单晶硅电池的单体片的制备;4、多晶硅太阳能电池 ①优点：⑴直接制出方型硅锭⑵设备简单，工业化规模生产⑶省材质⑷电耗小⑸较低纯度投炉料 ②缺点：效率比单晶硅太阳能电池低 ③铸锭工艺有⑴定向凝固法⑵浇铸法 多晶硅在生长过程中会产生位错。位错的悬挂键，电活性大，是少数载流子复合中心。且金属杂质、氧、碳等也在位错上聚集，亦会形成复合中心，电学性能不均匀，位错会降低少数载流子的寿命。 浇铸多晶硅缺点⑴有晶界⑵高密度位错⑶微缺陷——〉光电转换效率低;④多晶硅太阳能电池特殊处理 目的：降低晶界对光生载流子复合作用 ⑴铝磷吸杂：在多晶硅表面沉积磷或铝层，或用三氯氧磷液态源高温高浓度预扩散，在表面产生预缺陷，高温下杂质可能在高缺陷区富集，再将该层去掉即可去除杂质。氧、碳含量高效果不好 ⑵氢气钝化：实验室中450℃气氛（20%氢气+80%氮气）钝化处理，降低晶界两侧的界面态。离子体化学气相沉积法制备氮化硅（多晶硅太阳能电池减反射膜）的过程中，等离子态的氢对多晶硅晶界起氢钝化作用。 ⑶建立界面场：n型区晶界重掺杂磷，磷向晶界两侧扩散形成n+-n界面结构，同样p型区重掺杂铝，形成p+-p界面结构，这两结构在相应边界产生界面场;5、其它晶体硅太阳能电池 ①多晶硅薄膜电池：将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层做太阳能电池的激活层，既保持晶体硅太阳能电池高性能和高稳定性，材料用量大降，降低电池成本 衬底材料：玻璃、陶瓷、