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电镀温度对Sn层表面形貌的影响 摘要：本文研究了电镀槽温度对表面光亮度/反射率的影响，介绍了电极沉积纯Sn薄膜的研究进展，以及温度对晶须生长的影响。膜的光亮度/反射率会随着温度的升高而变大。电镀Sn层的微观结构分析表明随着温度的升高（小于85℃）会出现特有的金字塔形貌，并且优先形成的镀层表面越平滑。电镀温度也对在室温老化形成晶须的形貌产生影响。随着温度的升高，晶须的半径增大反之减小，并且能够观察到每个晶须的直径和长度取决于Sn的晶粒尺寸。 1 前言 由Cu和Cu合金制成的微电子元件需要电镀Sn以确保其焊接性。然而，电镀纯Sn会促使晶须的形成，晶须为单晶圆柱形结构接近1μm的厚度几微米的长度。在微电子器件上自发形成的晶须会造成短路，自从1950s就开始研究如何抑制晶须的生长。在过去，对于电镀Sn采用Pb作为合金成分能够有效的控制晶须的生长。然而，最新的环境条例要求电子元件中取消对Pb的使用，所以又引起了大量学者对控制晶须生长进行研究。 不同的因素都会影响晶须的生长，这些因素包括镀层厚度表征的表面形貌和微观结构，晶粒形状，晶粒尺寸和晶向；镀Sn过程中添加的合金成分；外界施加的应力，和基体的成分。表面形貌依次取决于电镀变量的变化，例如薄膜厚度，电流密度，阴离子类型，电镀温度和电镀液的搅拌。一些尝试用来推断这些变量对纯Sn和Sn合金薄膜的形貌和微观结构的影响。然而，有关温度对电镀Sn的研究甚少。另外，这些研究需要在复杂成分的含有二价锡的酸性镀液中进行。目前的研究是在单纯的锡酸钠碱性镀液中进行的。碱性镀液容易制备，控制，因此，研究其他不同参数的作用是更加可行的。本文研究了电镀温度对镀层表面光亮度和形貌的影响，以及对晶须生长的影响。讨论了不同温度下Sn层的生长机理。另外，也讨论了在电极沉积过程中镀层表面的变化情况。 2 实验步骤 Cu板（99.99%纯度），25mm×25mm×1 mm，切割，用标准金相方法抛光。电镀前，基体需要在50℃的NaOH溶液中清洗，然后浸入到硫酸中去除表面氧化物。用于镀Sn的碱性电解液成分：142g/L 锡酸钠氧化物 15g/L NaOH。电镀在50mA/cm2进行~240s（对于5μm的厚度）。温度变化范围为35-85℃。 在电镀之后试样进行清洗然后立即干燥，利用具有EDS系统的FE扫描电镜观察形貌，工作电压为10-20kV。电镀试样随后会在室温中老化。使用FE扫描电镜对老化的试样做定期的观察。 图1 显示随着温度的升高试样的光亮度/反射率变大 3 结果与讨论 图1为一系列高分辨率的图片显示随着温度的升高试样的光亮度/反射率变大。35℃的试样颜色灰暗（低的反射率）反之85℃的试样颜色光亮。随着温度的升高试样的光亮度变大。图2为不同温度下试样的SEM形貌。图2a为35℃的试样表面不规则而且多孔。这与图1中试样折射率低相一致。图2b-e为45℃,55℃,70℃温度下试样表平面出现了金字塔形貌特征。这些金字塔形貌为纯Sn的专有特征。图3a-d为随着温度升高，最先形成的镀层为粗糙的逐渐变得光滑。在点击沉积过程中，每当金属离子放电时，就会产生一个高温吸附原子。这些吸附原子会扩散到基体表面最终会被“冻结”从而形成固体薄膜。冷却速率决定了晶粒生长的程度和镀层最终的晶粒尺寸。镀液（基体）的温度越高，这些吸附原子的冷却速率越慢。这意味着在高的温度下吸附原子能够在基体表面进行长程扩散。因此，温度越高，晶粒尺寸越大，镀层表面越平滑。温度升高到85℃会导致大的小平面晶粒的形成。 图2 在（a）35℃（b）45℃（c）55℃（d）70℃（e）70℃（在60℃倾斜）（f）85℃温度的到的5μm Sn层的SEM微观形貌（在85℃以下随着温度的升高特征形貌尺寸逐渐增加，但是出现的频率逐渐变少） 图3 在（a）35℃（b）45℃（c）55℃（d）70℃温度下最先得到镀层的UHR SEM微观形貌。随着镀液温度的升高，镀层变得光滑少孔 在电镀过程中无论放电金属离子在哪个区域聚集，在镀层到达临界值后表面会形成突起形状。在电镀初期，金属离子会均匀的分布在基体上。当形成一定厚度后，随着镀层厚度的变化，会产生裸露的金属离子层（MIDL）。裸露的金属离子层厚度归于基体表面放电活性的变化。金属离子优先会沉积在薄的MIDL区最终导致表面突起的形核。如上所述，随着温度升高，最先形成的镀层为粗糙的逐渐变得光滑。这样会减少吸附原子的吸附点。因此，形核点和突起形成速率会随着温度的升高而减少。在突起形核以后，新的金属离子会因为该处的电流密度增加而进行周期性的放电。突起的尺寸会随着温度的升高而增加但是密度会减小（与图2（b-d）对比）。 金字塔形突起的形成是通过使Sn晶面暴露最低的能量从而使整体表面能最小化。Sn的晶体结构是正方晶系的属于空间结构I41/amd 类型。像{1