[工学]2半导体二极管及其基本电路.pptVIP

3.1半导体的基本知识 3.1.1半导体材料 按导电能力分类，物质材料可分为三大类：导体： 电阻率ρ 10-4 Ω·cm绝缘体：电阻率ρ 109 Ω·cm半导体：电阻率ρ介于前两者之间。 3.1.4 杂质半导体 1、P型半导体：在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成P型半导体，如图2.5所示。 3.1.4 杂质半导体 2、N型半导体 在本征半导体中掺入少量的五价元素杂质就形成N型半导体。 3、几点说明： 由于掺入杂质是微量的，所以不会改变硅的晶体结构，只是在某些位置上的杂质原子取代了Si原子。 由于P型半导体的多子是空穴，故杂质原子成为受主原子。当杂质原子给出多余的空穴后，本身即因失去空穴而成为负离子（整个半导体仍然是中性）。 虽然杂质是微量的，但对半导体的导电能力影响很大，可以通过控制掺杂浓度来获得不同导电能力半导体。 3.2.3 PN结的单向导电性 PN结在外加电压的作用下，动态平衡将被打破，并显示出其单向导电的特性。 1、外加正向电压 外电场与内电场的方向相反，内电场变弱，结果使空间电荷区（PN结）变窄。同时空间电荷区中载流子的浓度增加，电阻变小。这时的外加电压称为正向电压或正向偏置电压用VF表示。 在VF作用下，通过PN结的电流称为正向电流IF。 3.3.2 二极管的伏安特性 2、反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性 3.4.2二极管正向特性的数学模型 小信号模型分析举例（例1） 小信号模型分析举例（例2） 小信号模型分析举例（例2续） 3.5.1 齐纳二极管 齐纳二极管又称稳压管是一种特殊的面接触型硅晶体二极管。 由于它有稳定电压的作用，经常应用在稳压设备和 一些电子线路中。 稳压管的符号和等效电路如图2.17所示。 稳压管的特性曲线与普通二极管基本相似， 只是稳压管的反向特性曲线比较陡。 稳压管的正常工作范围，是在伏安特性曲线上 的反向电流开始突然上升的A、B段。这一段的电 流，对于常用的小功率稳压管来讲，一般为几毫安 至几十毫安。 稳压管的主要参数 (1)稳定电压VZ 稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。 稳压管的应用 3.5.4.2 发光二极管 ui ud R id rd 对于交流信号 电路可等效为 已知： ui = 5sin?t (mV)，VDD= 4 V，R = 1 k?， 求 iD 和 uD。 [解] 1. 静态分析 令 ui = 0，取 UQ ? 0.7 V IQ = (VDD?UQ) / R = 3.3 mA 2. 动态分析 rd = 26 / IQ = 26 / 3.3 ? 8 (?) Idm= Udm/ rd= 5 /8 ? 0.625 (mA) id = 0.625 sin?t 3. 总电压、电流 = (0.7 + 0.005 sin?t ) V = (3.3 + 0.625 sin?t ) mA 3.5 特殊二极管 IZmin IZmax A B 图2.18 （2）耗散功率PM  反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度将随功耗的增大而升高。根据PN结允许的工作温度决定管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。 （3)稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax 稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流； 最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的 最小反向电流； 最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电 流。 稳压管常用在整流滤波电路之后，用于稳定直流输出电压的小功率电源设备中。 如图3.19是由R、Dz组成的就是稳压电路，电路的稳定电压的原理如下： 只要R参数选得适当，就可以基本上抵消Vi的升高值，因而使Vo基本保持不变。 R DZ RL V0 Vi IR IZ I0 + + - - 图3.19 可见，在这种稳压电路中，起自动调节作用的主要是稳压二极管Dz，当输出电压有较小的变化时，将引起稳压二极管电流Iz的较大变化，通过限流电阻R的补偿作用，保持输出电压Vo基本不变。 * 第三章 半导体二极管及其基本电路 学习要求: 1．了解半导体器件中扩散与漂移的概念、PN结形成的原理。 2．掌握半导体二极管的单向导电