[工学]7第7章半导体存储器.pptVIP

数字电子技术基础（阎石）第五版 第7章 半导体存储器 第7章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存取存储器（RAM） 7.4 RAM的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 *7.5 串行存储器 7.1 概述 存储器——用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （1）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 （2）只读存储器（ROM）。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 存储器的容量：存储器的容量=字长（n）×字数（m） 按功能，存储器分为 只读存储器（Read Only Memory，ROM） 掩模ROM MROM ( Masked ROM ) 可编程只读存储器 PROM 紫外线可擦可编程只读存储器 UVEPROM 电可擦可编程只读存储器 EEPROM 快闪存储器 FLASH memory 随机存取存储器 RAM （Random Access Memory） 静态随机存取存储器 SRAM 动态随机存取存储器 DRAM 顺序存取存储器 SAM （Sequential Access Memory） 先进先出FIFO 先进后出FILO 7.2只读存储器（ROM） p.356 只读存储器是指正常情况下，只能读出数据，不能 写入新数据的一类存储器。写入数据需要专门的方法。 只读存储器有几种形式： ROM： 由厂家在制造时写入数据，不可更改。 PROM： 由用户自己写入数据，但只能写一次。 EPROM：用专用编程器写入数据，可用紫外线擦 除，因此可重复使用。写入有次数限制。 E2PROM：可以象RAM一样在线读写，不需要特殊 的编程手段，但写入次数有限。 快闪存储器（Flash Memory）：也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以 擦除/写入10000~100000次以上。 只读存储器电路 只读存储器(Read Only Memory，ROM) 它又称固定存储器。ROM是把数据固定地存储起来，然后按给定地址进行读出，但不象RAM那样可以随时快速写入和修改，只能读出。它在停电后照样能长期保存数据，所以又被称为不挥发存储器 NVM (Nonvolatile Memory)。ROM的单元只有一个管子。通过不同方法的控制，使它们具有能导通和不导通两种状态，分别代表存“l”和存“0”单元。掩膜ROM (Mask ROM)是通过工艺制作过程使单元阵列中的各个单元按要求制成“1”或“0”单元，它是由一次掩膜和加工所完成的。 ROM除了单元阵列外，像RAM一样也需要地址缓冲器、译码器、灵敏读出放大器和数据输出缓冲器，但没有数据输入电路。 什么是OTP ？ (OTP--一次性可编程/可编程的一次性烧录) 　OTP（One Time Programmable）是MCU的一种存储器类型。MCU按其存储器类型可分为掩膜片--MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASH ROM等类型。MASK ROM的MCU价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；FALSH ROM的MCU程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途； 在反熔丝PROM中，各连接点放的不是熔丝，而是一种PLICE编程单元，如图所示。未编程时纵线和横线间是不通的，编程时对需要连接处加上高压使其中PLICE（可编程逻辑互连电路单元）介质击穿而短路，从而达到该点逻辑连接的目的。 复习：3.2.2 二极管与门 （p.71） 3.2.3 二极管或门（p.72） 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 掩模只读存储器 工作原理： 地址译码器将地