光电传感器应用技术第2版教学课件作者王庆有第1章节4节课件幻灯片.pptVIP

1.5.2 半导体对光的吸收 不考虑热激发和杂质的作用时，半导体中的电子基本上处于价带中，导带中的电子很少。当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，跃迁进入导带，成为可以自由运动的自由电子。 在价带中留下一个 自由空穴，产生电子-空穴 对。 如图1-9所示，半导体 价带电子吸收光子能量跃 迁入导带，该现象称为本 征吸收。 显然，发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 由此，可以得到发生本征吸收的光波长波限 （1-69） （1-70） 只有波长短于的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。 2.杂质吸收 N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量hv。 若hv大于等于施主电离能ΔED，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能级）跃入导带，成为自由电子。 同样，P型半导体中，价带上的电子吸收了能量hv大于ΔEA（受主电离能）的光子后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上的空穴吸收光子能量跃入价带。 这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 显然，杂质吸收的长波限 （1-71） （1-72） 由于EgΔED或ΔEA ，因此，杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长。 杂质吸收会改变半导体的导电特性，也会引起光电效应。 3. 激子吸收 当入射到本征半导体上的光子能量hv小于Eg，或入射到杂质半导体上的光子能量hv小于杂质电离能（ΔED或ΔEA）时，电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。 这种处于受激状态的电子称为激子。 吸收光子能量产生激子的现象称为激子吸收。显然，激子吸收不会改变半导体的导电特性。 4. 自由载流子吸收 对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高时，不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时，其强度随波长增大而增强。 这是由自由载流子在同一能带内的跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。自由载流子吸收不改变导电特性。 5. 晶格吸收 晶格原子对远红外谱区的光子能量的吸收直接转变为晶格振动动能的增加，在宏观上表现为物体温度升高，引起物质的热敏效应。 只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应。 1.6 光电效应 光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。 而被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象称为外光电效应。 本节主要讨论内光电效应与外光电效应的基本原理。 1.6.1 内光电效应 1. 光电导效应 光电导效应可分为本征光电导效应与杂质光电导效应两种，本征半导体或杂质半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带产生本征吸收，使电导率发生变化。称为本征光电效应。 如图1-10所示，半导体吸收了入射波长为λ的单色辐射，则光敏层单位时间产生的量子数密度 Ne,λ为 (1-73) 光敏层每秒产生的电子数密度Ge为 （1-74） 在热平衡状态下，热电子产生率Gt与热电子复合率rt相平衡。光敏层内电子总产生率为Gt与Ge之和 （1-75） 导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R应为 （1-76） 式中，Kf为复合几率，Δn为光生电子浓度，Δp为光生空穴浓度，ni与pi分别为热激发电子与空穴的浓度。 同样，热电子复合率与导带内热电子浓度ni及价带内空穴浓度pi的乘积成正比。即 （1-77） 在热平衡状态载流子的产生率应与符合率相等。即 （1-78） 在非平衡状态下，载流子的时间变化率应等于载流子的总产生率与总复合率的差。即 （1-79） 分两种情况讨论： （1）在微弱辐射作用下，Δn＜＜ni，Δp ＜＜pi，并考虑到本征吸收的特点，Δn=Δp，式（1-79）可简化为 利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得 （1-80） 式中τ=1/Kf(ni+pi)称为载流子的平均寿命。 可见，光激发载流子浓度随时间按指数规律上升，当tτ时，达到稳态值Δn0，即达到动态平衡状态 （1-81） 光激发载流子引起半导体电导率的变化Δσ为 （1-82） 式中，μ为电子迁移率μn与空穴迁移率μp之和。 半导体材料的光电导g为 （1-83） 可以看出，在弱辐射作用下的半导体材料的电导与入射辐射通量Φe,λ成线性关系。 求导可得 由此可得半导体材料在弱辐射作用下的光电导灵敏度Sg