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第3章 硅氧化 VLSI制造中，薄膜工艺是核心，包括热氧化膜（含栅氧化膜和场氧化膜）、电介质膜、多晶硅膜、金属膜。 黄君凯 教授 图3-1 MOSFET截面图 3.1 热氧化方法 热氧化装置 线性升温至氧化温度：900 ~1200 , 控温精度 ，气流速率 。 黄君凯 教授 图3-2 热氧化炉截面 垂直层流罩 3.1.1 生长动力学 （1）生长工艺 干氧化： 湿氧化： 设生长厚度为 的 层需消耗硅层厚度为 ，若非晶 层中硅原子密度 ，单晶硅原子密度 ，则上图中厚 的 层内的硅原子数，应与厚 的单晶硅层内的硅原子数相等： 解出 ： 黄君凯 教授 图3-3 热氧化过程 （2） 膜结构 膜结构：晶态和非晶态（无定形）的密度分别为 和 热氧化生成的 膜结构：非晶态，湿氧化结构比干氧化结构稀疏 黄君凯 教授 图3-4 膜结构 氧桥： 非氧桥： （3）生长动力学 定义： 为氧化物表面附近氧化剂分子平衡浓度 为硅表面附近氧化剂分子浓度 为氧化物中氧化剂分子浓度 其中：干氧化时氧分子在氧化物中的浓度为 湿氧化时 分子在氧化物中的浓度为 则右图中氧化剂扩散过 层流量 为： （3-1） 黄君凯 教授 图3-5 热氧化模型 式中 为氧化剂的扩散系数， 为已存在的氧化层厚度。 氧化剂与硅发生反应产生的流量 为： （3-2） 式中 为表面反应速率常数（具有速率量纲）。 稳态时， ，联立上两式： 黄君凯 教授 当氧化物厚度为 时，氧化层生长速率 为： 当 时，氧化物初始厚度为 ，干氧氧化时 ，从上 式可解出： （3-3） 式中 ，物理意义为 引起的时间坐标平移。 从式（3-3）可得： （3-4） 黄君凯 教授 【分析】 当 时，式（3- 4）作泰勒展开，可简化为： （3-5） 对应于氧化物生长初期， 限制了生长速率，出现线性型生长关系。 当 时，式（3- 4）可简化为： （3-6） 对应于氧化物生长后期， 限制了生长速率，出现抛物线型生长关系。 黄君凯 教授 紧凑形式 在式（3-3）中，令 ，抛物线率常数