西安电子科技大学半导体物理第4章节幻灯片.pptVIP

如果样品半无穷大，非平衡载流子尚未到达样品另一端就全 部复合消失，即x→∞ 时Δp(x)→0，因而通解中B=0；在x=0处， Δp(x)=(Δp)0 ，则A=(Δp)0，因此 这表明非平衡载流子从表面的(Δp)0开始，在体内按照指数规律衰 减。当x=Lp时，则有Δp(Lp)=(Δp)0 /e，即非平衡载流子因为存在 复合由(Δp)0衰减到(Δp)0 /e所扩散距离就是Lp。而非平衡载流子 的平均扩散距离为 因此Lp反映了非平衡载流子因扩散而深入样品的平均距离，称Lp为 空穴扩散长度。 如果样品为有限厚度w，同时设法在样品另一端将非平衡少子全部 抽取干净，那么 由此确定系数A和B，得到这种情形的特解为 由于α很小时sh(α)≈α，所以当样品厚度w远小于扩散长度Lp 时，上式近似为 此时的扩散流密度 为常数，表明由于样 品很薄，非平衡载流子还来不及复合就扩散到了样品的另一端。 二、爱因斯坦关系 半导体中载流子的扩散运动必然伴随扩散电流的出现。 空穴扩散电流密度 电子扩散电流密度 如果载流子扩散系数是各向同性的，对于三维情况，则 而扩散流密度的散度的负值恰好为单位体积内空穴的积累率 稳态时，-▽·Sp等于单位时间单位体积内因复合而消失的空穴数， 稳态扩散方程为 空穴的扩散电流密度 电子的扩散电流密度 对均匀掺杂的一维半导体，如果存在外加电场|E|的同时还存 在非平衡载流子浓度的不均匀，那么平衡和非平衡载流子都要作 漂移运动，非平衡载流子还要作扩散运动，因此 非均匀掺杂的一维半导体在同时存在外加电场|E|和非平衡载 流子浓度的不均匀时，由于平衡载流子浓度也是位置的函数，平 衡载流子也要扩散，因此 引起载流子漂移运动和扩散运动的原因虽然不同，但这两种 运动的过程中都要遭到散射的作用，μ和D之间也存在内在联系。 载流子的μ和D之间有如下的爱因斯坦关系 因此由已知的μn、μp就可以得到Dn和Dp。 非均匀掺杂半导体同时存在扩散运动和漂移运动时，利用爱 因斯坦关系，可将电子和空穴的电流密度改写为 半导体中的总电流密度为 4.5 连续性方程 以一维n型半导体为例，更普遍的情况是载流子浓度既与位置 x有关，又与时间t有关，那么少子空穴的扩散流密度Sp和扩散电流 密度(Jp)Dif分别为 单位时间单位体积中因扩散积累的空穴数为 单位时间单位体积中因漂移积累的空穴数为 小注入条件下，单位体积中复合消失的空穴数是Δp/τp，用gp 表示生产率，则可列出 上式称为空穴的连续性方程。它反映了漂移和扩散运动同时存在 时少子空穴遵守的运动方程，类似可得电子的连续性方程 三维情况下电子和空穴的连续性方程分别是 西安电子科技大学 微电子学院 第四章 半导体中载流子的输运现象 4.1 载流子的漂移运动与迁移率 4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系 4.3 半导体的迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系 4.4 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系 4.5 连续性方程 4.1 载流子的漂移运动与迁移率 一、漂移速度与迁移率 在外场|E|的作用下，半导体中载流子要逆(顺)电场方 向作定向运动，这种运动称为漂移运动。 定向运动速度称为漂移速度，它大小不一，取其平均值 称作平均漂移速度。 图中截面积为s的均匀样品， 内部电场为|E| ，电子浓度为n。 在其中取相距为 的A和B两 个截面，这两个截面间所围成 的体积中总电子数为 ， 这N个电子经过t时间后都将通过A面，因此按照电流强度的定义 与电流方向垂直的单位面积上所通过的电流强度定义为电流密 度，用J表示，那么 图4.1 平均漂移速度分析模型 已知欧姆定律微分形式为 σ为电导率，单位S/cm。 令 ，称μn为电子迁移率，单位为cm2/V·s。因为电子逆 电场方向运动， 为负，而习惯上迁移率只取正值，即 迁移率μn也就是单位电场强度下电子的平均漂移速度，它的大小 反映了电子在电场作用下运动能力的强弱。 经计算比较可以得到 上式就是电导率与迁移率的关系。电阻率ρ和电导率σ互为倒数， 即σ＝1/ρ，ρ的单位是Ω·cm。 二、半导体的电导率和迁移率 若在半导体两端加上电压，内部就 形成电场，电子和空穴漂移方向相反， 但所形成的漂移电流密度都是与电场方 向一致的，因此总漂移电流密度是两者 之