微纳技术及微纳机电系统下-中国物理C.PDFVIP

微纳技术及微纳机电系统（下） 鲍海飞 3.2 微纳机电系统 体中压阻效应，即掺杂的半导体 艺的保护膜，然后通过涂胶、光刻、 (1)压力传感器与加速度传感器 受到应力作用时其电阻要发生变 显影和腐蚀氧化硅等工艺，在氧化 几乎在集成电路起步发 化，其灵敏度是金属的几十倍， 硅上形成扩散窗口进行n 型杂质扩 展的同时，在 1950 年，巴丁 由此可以用做应变计来检测物体 散，制作出敏感的压阻；然后再用 （John Bardeen ）和肖克利（W. 的形变。到1960 年，已经至少有 类似的工艺进行金属铝的沉积，使 Shockley）预言了单晶半导体在 两家半导体公司Kulite-Bytrex 和 之与扩散电阻形成良好的电接触， 外力作用下形变，并会有相当大 Microsystem 能够提供体硅应变计 并构成惠斯通全桥敏感结构。接下 的电导变化。1954 年，来自美 了。1961 年，贝尔实验室的范恩 来对器件正面保护，在硅的背面利 国凯斯西储大学（Case Western （William G. Pfann ）和瑟斯顿（R. N. 用碱液对硅进行各向异性腐蚀，至 Reserve University ）的史密斯（C. Thurston ）提出了扩散压阻元与硅 预定位置，形成所谓的 “硅杯”， S. Smith）到贝尔实验室进行访问 力敏感元的集成方式。基于此，在 然后利用带孔的Pyrex 玻璃与之键 工作，报道了 “掺杂硅和锗中，在 1962 年，第一个硅压力传感器得 合形成较大的腔体结构，从而完成 剪切应力作用下具有相当大的压阻 以实现，压力传感器是用来检测压 压力传感器敏感腔体结构的制造。 剪切系数”，由此，标志着在微尺 力的一种传感器，如血压计等。图 当外界的气压作用到微结构的正面 度上硅的传感性能研究的开始， 1 是一种体硅压力传感器的工艺制 时，由于微结构两侧压力差的存在， 如应变计、压力传感器、加速度 造过程。其工艺过程简单描述如下： 微结构将发生形变，从而使其上的 计、力/ 位移传感器等。伴随着硅 在p 型硅上首先沉积绝缘材料，如 电阻将发生变化，导致加在其上的 中应变特性的研究，人们发现半导 氧化层，作为钝化和下一步加工工 电压输出的变化，信号经过放大而 输出至仪表显示。 硅上另一个主要敏感效应是 利用硅悬臂梁或板结构之间的间 隙，构成电容式的敏感或驱动结构。 1970 年研制出了第一个硅微加速 度传感器。图2 是一种电容式加速 度传感器的原理。图2 （a ）是结 构在没有外力作用时的状态，中间 的质量块是敏感结构，连接质量块 的是柔性可动的微梁，微梁固定在 锚点上；质量块上可以有多组微梁 （梳指）与固定梁之间存在间隙， 图1 一种在体硅上扩散压阻型压力传感器的制造过程，左侧是表面上有扩散电阻的整体 构成电容。当敏感结构受到一个如 结构图，其中采用的是（10