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* * * 光电池基本特性 (1) 光谱特性 光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。 图为硅光电池和硒光电池的光谱特性曲线。从图中可知, 不同材料的光电池, 光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的,硅光电池波长在0.8μm附近,硒光电池在0.5μm附近。硅光电池的光谱响应波长范围为 0.4~1.2μm,而硒光电池只能 为0.38~0.75μm。可见,硅光 电池可以在很宽的波长范围内 得到应用。 * (2)光照特性 光电池在不同光照度下, 其光电流和光生电动势是不同的,它们之间的关系就是光照特性。图为硅光电池的开路电压和短路电流与光照的关系曲线。从图中看出,短路电流在很大范围内与光照强度呈线性关系,开路电压(即负载电阻RL无限大时)与光照度的关系是非线性的,并且当照度在2000 lx时就趋于饱和了。因此用光电池作为测量元件时,应把它当作电流源的形式来使用, 不宜用作电压源。 * (3)频率特性 如图为硅光电池和硒光电池的频率特性,横坐标表示光的调制频率。硅光电池有较好的频率响应。 * (4) 温度特性 描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。由于它关系到应用光电池的仪器或设备的温度漂移,影响到测量精度或控制精度等重要指标, 因此温度特性是光电池的重要特性之一。温度特性如图。从图中看出,开路电压随温度升高而下降的 速度较快,而短路电流 随温度升高而缓慢增加。 由于温度对光电池的工 作有很大影响,因此把 它作为测量元件使用时, 最好能保证温度恒定或 采取温度补偿措施。 * 硅光电池2CR型特性参数 * 5.1.4 光电耦合器件 光电耦合器件是由发光元件和光电接收元件合并使用,以光作为媒介传递信号的光电器件。 根据其结构和用途不同,它又可分为用于实现电隔离的光电耦合器和用于检测有无物体的光电开关。 1. 光电耦合器 光电耦合器的发光元件和接收元件都封装在一个外壳内, 一般有金属封装和塑料封装两种。发光器件通常采用砷化镓发光二极管,其管芯由一个PN结组成,随着正向电压的增大,正向电流增加,发光二极管产生的光通量也增加。光电接收元件可以是光敏二极管和光敏三极管,也可以是达林顿光敏管。为了保证光电耦合器有较高的灵敏度, 应使发光元件和接收元件的波长匹配。 * 光电耦合器组合形式 * 2. 光电开关 光电开关是一种利用感光元件对变化的入射光加以接收, 并进行光电转换,同时加以某种形式的放大和控制,从而获得最终的控制输出“开”、 “关”信号的器件。 图(a)是一种透射式的光电开关,它的发光元件和接收元件的光轴是重合的。当不透明的物体位于或经过它们之间时,会阻断光路,使接收元件接收不到来自发光元件的光,这样就起到了检测作用。 图(b)是一种反射式的光电开关,它的发光元件和接收元件的光轴在同一平面且以某一角度相交,交点一般即为待测物所在处。当有物体经过时,接收元件将接收到从物体表面反射的光,没有物体时则接收不到。光电开关的特点是小型、高速、非接触,而且与TTL、 MOS等电路容易结合。 * 2. 光电开关 * 滚轮光电鼠标就是利用LED与光敏晶体管组合来测量位移 2. 光电开关 * 光电开关广泛应用于工业控制、自动化包装线及安全装置中作为光控制和光探测装置。可在自动控制系统中用作物体检测,产品计数,料位检测,尺寸控制,安全报警及计算机输入接口等。 2. 光电开关 * 5.1.5 电荷耦合器件 电荷耦合器件(Charge Couple Device, 缩写为CCD)是一种大规模金属氧化物半导体(MOS)集成电路光电器件。 它以电荷为信号,具有光电信号转换、存储、转移并读出信号电荷的功能。CCD自1970年问世以来,由于其独特的性能而发展迅速, 广泛应用于航天、遥感、 工业、农业、天文及通讯等军用及民用领域信息存储及信息处理等方面, 尤其适用以上领域中的图像识别技术。 * 1. CCD是由若干个电荷耦合单元组成的。其基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器 。 它以P型(或N型)半导体为衬底,上面覆盖一层厚度约120 nm的SiO2,再在SiO2表面依次沉积一层金属电极而构成MOS电容转移器件。这样一个MOS结构称为一个光敏元或一个像素。将MOS阵列加上输入、 输出结构就构成了CCD器件。 5.1.5 电荷耦合器件 * 2. CCD固态图像传感器 电荷耦合器件用于固态图像传感器中,作为摄像或像敏的器件。 CCD固态图像传感器由感光部分和移位寄存器组成。感光部分是指在同一半导体衬底上布设的由若干光敏单元组成的阵列元件, 光敏单元简称“像素”。 固态图像传感器利用光敏单元的光电转换功能将投射到光
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