模电1.3晶体管三极管及其放大电路幻灯片.pptVIP

2．共射极输出特性 输出特性曲线 饱和区 截止区 放大区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA uCE/ V 各区的特点 (1) 饱和区 a. UCE≤UBE b. IC＜βIB c. UCE增大， IC 增大 饱和区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA uCE/ V d. UCE可近似为饱和电 压降UCES e. IC=(VCC－UCES)/RC (3) 截止区 b. IB=0 c. IC≤ ICEO (2) 放大区 a. UCEUBE b. IC=βIB c. IC与UCE无关 饱和区 放大区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA uCE/ V a. UBEUon 3. 温度对晶体管特性的影响 讨论一 1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2. 已知T导通时的UBE＝0.7V，若uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？ 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。 临界饱和时的 1. 硅管与锗管的主要区别 (3) 锗管的ICBO比硅管大 (1) 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0