模拟电子技术教学课件作者第3版胡宴如电子教案ch12课件幻灯片.pptVIP

1.2　二极管的特性及主要参数 1.2.1 二极管的结构 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 温度对二极管特性的影响 第 1 章　半导体二极管及其基本应用 1.2.4 二极管的主要参数 1.2.1 二极管的结构 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号： A (anode) C (cathode) 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 第 1 章　半导体二极管及其基本应用 1.2.2 二极管的伏安特性 一、二极管的伏安特性方程 反向饱和电流 温度的 电压当量 电子电量 玻尔兹曼常数 当 T = 300(27?C)： UT = 26 mV 第 1 章　半导体二极管及其基本应用 二、二极管的伏安特性曲线 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0 ? U ? Uth UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管