[工程科技]MOS器件可靠性.ppt

MOS器件可靠性 写出威布尔分布的积累分布函数，定性说明形状因子所对应的不同失效区间。画出失效概率密度与t的关系。 根据渗流模型，NBD与应力电压无关 超薄栅氧化层击穿 临界陷阱密度 几个研究小组已经报道了对3－5nm氧化层，随着应力电压下降，NBD会出现下降 可能的原因： 渗流路径与电场弱相关 陷阱存在着缓慢的恢复 Breakdown of Ultra-thin oxide 超薄栅氧化层击穿 寿命预测模型 对恒定电压应力，寿命与QBD 的关系为： J 为应力过程中的电流密度 对薄氧化层，电流在击穿前可近似为恒定值，则有 TBD=QBD/J 为了得到工作条件下的寿命，在给定的期望失效率Fchip，栅面积Aox条件下，Tlife为测试失效率Ftest和对应的失效时间Ttest的函数： ? 为斜率参数或威布尔分布斜率 Breakdown of Ultra-thin oxide 超薄栅氧化层击穿 寿命预测模型 估计介质的可靠性需要从测量条件向工作条件的外推过程。为了保证外推的准确性，通常需要长时间的应力实验，而且应力电压需要尽可能的接近工作电压条件 在外推过程中，通常采用一些简单的关系，如E指数、1/E指数或依赖于Vg的指数关系。但对范围分布很广的应力条件，任何一个简单、统一的关系都不存在。 因此，将寿命外推到工作电压条件下的工作是非常困难，特别是随着氧化层厚度的下降 Breakdown of Ultra-thin oxide Breakdown of Ultra-thin oxide 为了得到准确的?因子，可以通过：1）增加实验样品数（大于1000个）；2）用不同面积的样品，通过归一化处理，得到宽范围内的Tbd分布，由低比例累计失效的分布来确定?因子。 Breakdown of Ultra-thin oxide 超薄氧化层击穿过程：缺陷产生，氧化层退化－》渗流通道形成，软击穿－》渗流通道退化，渐进击穿－》硬击穿 Breakdown of Ultra-thin oxide 软击穿后的渐进式击穿 应力电压越低，击穿速率越慢 Breakdown of Ultra-thin oxide 击穿以后的光发射图象（a）5.6nm （b）3nm Breakdown of Ultra-thin oxide Breakdown of Ultra-thin oxide 超薄氧化层软击穿后Gm和Vt变化小于10％,甚至低于5％ Breakdown of Ultra-thin oxide 氧化层击穿测量方法 应力条件 －恒定电流应力(CCS) －恒定电压应力(CVS) －脉冲电压应力(PVS) －扫描应力 (a) 沟道注入 (b) 栅注入 (c) 衬底热载流子注入 氧化层击穿应力模式 氧化层击穿应力模式 衬底热载流子注入 能带图 氧化层击穿电学特性 栅漏电流随应力时间变化 Cathode Anode SiO2 Stress Induced leakage Current (SILC) Soft Breakdown (SB) Hard Breakdown (HB) 氧化层击穿电学特性 栅漏电流随应力时间变化 SILC (Stress Induced Leakage Current) SB (Soft Breakdown) HB (Hard Breakdown) 0 1 2 3 4 5 6 7 Vg (V) Jg (A/cm2) 10-12 10-10 10-9 10-8 10-7 10-6 10-11 fresh SILC SB HB 氧化层击穿电学特性 软击穿依然可以引起器件漏电流显著下降 MOS器件退化 Degradation of MOS Device 简介 退化机理 抑制方法 寿命预测 Degradation of MOS Device 器件退化的含义 输出电流下降 阈值电压增加 NMOSFET Degradation of MOS Device 退化与击穿的比较 击穿： －突变过程 －硬击穿：完全失效 －软击穿：不完全失效 器件无功能 寿命：击穿时间 退化： －渐变过程 －性能下降 器件依然保持功能 寿命：人为定义 Degradation of MOS Device 器件寿命的定义 不同应用给出不同定义： 漏电流改变5~10％ 阈值电压漂移 跨导漂移 驱动电路 逻辑电路 高速电路 重要性： 电路设计需要考虑参数冗余 CMOS工艺的规范－产品的性能指标 寿命 10年 Degradation of MOS Device 器件退化机理 Degradation of MOS Device 器件退化机理 当器件进入饱和区，靠近漏端的栅边界处的沟道夹断，出现空间