微电子器件与工艺课程设计课件幻灯片.pptVIP

4。工艺步骤设计 硅片清洗 氧化 光刻（光刻基区） 磷预扩散 磷再扩散 （基区扩散） 刻蚀二氧化硅 硅片氧化 光刻发射区 硼预扩散 硼再扩散（发射区扩散） 光刻（光刻接触孔） 金属化 光刻（光刻接触电极） 参数检测 写出每一步的操作方法和工艺参数 WB P + N P E C W E B C E B C 硅片清洗→氧化→光刻基区 →磷预扩散→磷再扩散（基区扩散） →去氧化膜→ 氧化工艺→光刻发射区 →硼预扩散→硼再扩散（发射区扩散） → 去氧化膜→ 沉积保护层→光刻接触孔 →金属化→光刻接触电极→参数检测 定位孔 定位孔 发射区 AE =3umX3um 定位孔 基区 AB =5umX5um 定位孔 定位孔 定位孔 基区引线孔 发射区引线孔 集电区引线孔 E B C 定位孔 定位孔 接触孔 AB =5umX5um AC =3umX3um AE =8umX8um 1、硅片清洗 2、氧化 选用晶向111P型硅 氧化薄层二氧化硅，作掩蔽膜用 氧化层厚度测量可以通过 比色法或者椭圆偏振法 3、光刻基区 在掩蔽膜上光刻出基区窗口 涂光刻胶1-2um，950到450转/分钟 100-140摄氏度坚膜20-30分钟 用紫外光曝光，200W曝光25S 用有机溶剂或者等离子体去胶 4、磷预扩散 P 6、去氧化层 5、磷再扩散 7、氧化 薄氧化层做掩蔽膜 8、光刻发射区 9、硼预扩散