微电子学概论ch4集成电路制造工艺1课件幻灯片.pptVIP

* 压力接近常压下进行的CVD反应，淀积速度快。LPCVD低压下气体分子间的碰撞频率降低，薄膜淀积速度慢。PECVD中，气体在部分电离成高能电子，反应温度较低。 * 常压化学气相淀积，一般反应温度为800—1000度。 * 淀积的薄膜厚度均匀性好，装片量大，反应温度600—700度。但淀积速度慢。 * 气体经过放电区， PECVD对低压气体施加射频电场，提供气相反应所需的激活能。反应温度：200—400度。 * 外延技术主要有气相，液相和分子束外延。CVD氧化硅薄膜主要用作金属化时的介质层和掩蔽层，不能用于栅氧化层和场绝缘，栅氧化层和场绝缘，只能通过热生长实现。 * 首先在p型衬底上扩散形成n＋埋层，然后生成n外延，通过隔离扩散形成直通衬底的p型区，从而将外延层分割成一个一个孤立的n型区，不同n型区之间靠反向偏置的pn结隔离。 * 首先在p型衬底上进行n＋埋层掺杂，该区作为npn晶体管的集电极，接着生长一层薄p型外延，进行n＋隔离掺杂，与原来的n＋埋层一起将p型外延分成一个一个小区。 * 适合于制作高速、高密度集成电路，被认为是双极集成电路中的最佳隔离方案之一 物理气相淀积(PVD) 利用物理过程实现物质转移，原子或分子有源转移到衬底表面，淀积成薄膜。 作用： 淀积金属薄膜，形成欧姆接触，实现接触和互连，Al连线。 淀积其他薄膜，包括化合物薄膜。 蒸发、溅射 蒸发：在真空系统中